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產(chǎn)品展示

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碳化硅肖特基二極管
碳化硅SiC能夠以高頻肖特基勢壘二極管SBD結(jié)構(gòu)的實現(xiàn)600V以上的高耐壓快恢復(fù)二極管(硅Si的SBD最高耐壓僅為200V左右),其導(dǎo)通壓降比硅Si快恢復(fù)二極管低很多,關(guān)斷恢復(fù)時間小,關(guān)斷損耗低,產(chǎn)生的電磁干擾EMI小。采用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品硅Si 快恢復(fù)二極管FRD,可大幅度減少總損耗,提高電源的效率,并且通過高頻工作實現(xiàn)電感電容等無源器件的小型化,而且電磁干擾EMI更低。碳化硅SBD可廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的逆變器、電動汽車的電機拖動系統(tǒng)及快速充電器等。

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