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IGBT單管和MOS管有哪些區(qū)別呢?

發(fā)布時間:2022-03-17作者來源:薩科微瀏覽:1969

IGBT單管和MOS管有哪些區(qū)別呢?

IGBT

怎么區(qū)別IGBT單管和MOS管呢?我們可以從以下三點(diǎn)進(jìn)行分析。


1.結(jié)構(gòu)上,以n型溝道為例,IGBTMOS管的區(qū)別在于MOS管的襯底為n型,IGBT的襯底為p型。


2.原則上, IGBT相當(dāng)于 MOS管和雙極器件的組合。背面P型層的空穴注入降低了器件的導(dǎo)通電阻,但同時也會引入拖尾電流等問題。

3.從產(chǎn)品來看, IGBT一般用于高壓電源產(chǎn)品,從600伏到幾千伏不等; MOS管的應(yīng)用電壓相對較低,從10伏到1000伏左右。

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