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發(fā)布時(shí)間:2022-03-17作者來(lái)源:薩科微瀏覽:2207
最近,國(guó)產(chǎn)SiC襯底又有新進(jìn)展——同光晶體成功制備了無(wú)微管缺陷的6英寸SiC單晶,“更適合制作高壓、特高壓功率器件”。
據(jù)介紹,同光晶體采用了改進(jìn)型PVT生長(zhǎng)設(shè)計(jì)方案,其6英寸SiC晶片無(wú)任何的應(yīng)力斑出現(xiàn),晶格基平面彎曲較小,其(004)衍射指數(shù)的平均半峰寬低至19弧秒,電阻率分布均勻。
該成果刊登在《硅酸鹽學(xué)報(bào)》2021年4月刊,投稿時(shí)間為2020年7月。創(chuàng)新生長(zhǎng)工藝
解決微管缺陷難題
業(yè)界經(jīng)過(guò)近30年的努力,已經(jīng)可以成熟制備無(wú)微管缺陷的2-4英寸4H-SiC單晶材料, 但6英寸4H-SiC單晶還存在一定的難度。 同光晶體認(rèn)為,制備無(wú)微管缺陷的6英寸SiC單晶,應(yīng)當(dāng)避免多型的產(chǎn)生,而他們的方法是對(duì)物理氣相傳輸(PVT)法進(jìn)行改良。 據(jù)介紹,在常規(guī)生長(zhǎng)裝配條件下,生長(zhǎng)組分流的方向部分與生長(zhǎng)臺(tái)階流方向同向,部分與臺(tái)階流方向相向。而同光晶體的改進(jìn)方案采用了引流裝配或非對(duì)稱溫場(chǎng)設(shè)計(jì),在生長(zhǎng)過(guò)程中,生長(zhǎng)組分流的方向幾乎都與臺(tái)階流的方向相向。性能優(yōu)異
滿足功率器件需求
根據(jù)論文,該襯底晶片的 Raman光譜檢測(cè)掃描結(jié)果顯示,整個(gè)6英寸晶片全為單一的4H-SiC晶型。
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