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MOS管的源極和漏極有什么區(qū)別

發(fā)布時間:2022-03-17作者來源:薩科微瀏覽:11995

一、指代不同

1、源極:簡稱場效應(yīng)管。T僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。

2、漏極:利用外部電路的驅(qū)動能力,減少IC內(nèi)部的驅(qū)動,或驅(qū)動比芯片電源電壓高的負(fù)載。

二、原理不同

1、源極:在一塊N型半導(dǎo)體材料的兩邊各擴(kuò)散一個高雜質(zhì)濃度的P型區(qū)(用P+表示),就形成兩個不對稱的P+N結(jié)。把兩個P+區(qū)并聯(lián)在一起,引出一個電極,稱為柵極(g),在N型半導(dǎo)體的兩端各引出一個電極。

2、漏極:將兩個P區(qū)的引出線連在一起作為一個電極,稱為柵極,在N型硅片兩端各引出一個電極。

擴(kuò)展資料:

源極結(jié)構(gòu)原理

在一塊P型半導(dǎo)體的兩邊各擴(kuò)散一個高雜質(zhì)濃度的N+區(qū),就可以制成一個P溝道的結(jié)型場效應(yīng)管。上圖給出了這種管子的結(jié)構(gòu)示意圖和它在電路中的代表符號。由結(jié)型場效應(yīng)管代表符號中柵極上的箭頭方向,可以確認(rèn)溝道的類型。

漏極結(jié)構(gòu)原理

一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。

它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高(108~109Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。

參考資料來源:

百度百科-源極

參考資料來源:

百度百科-漏極

請問mos管柵極、源極、漏極的由來

gate相當(dāng)于一個門(開關(guān))VG大于VT管子導(dǎo)通,源就是電子來源的地方,漏就是電子消失(漏掉)的地方。

MOS管的源極和漏極有什么區(qū)別?

通道的極性與其漏極(drain)與源極相同,假設(shè)漏極和源極是ntype,那么通道也會是ntype

動態(tài)MOS存儲單元利用MOS管的柵極電容來存儲信息那為什么電荷保?

動態(tài)MOS存儲單元利用MOS管的柵極電容來存儲信息,但由于柵極電容的容量很小,而漏電流又不可能[敏感詞]等于0,所以電荷保存的時間有限

場效應(yīng)管漏極,源極,柵極的作用?

場效應(yīng)管源極電位比柵極電位高(約0.4V)。

場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,被稱之為雙極型器件.

有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管好.

場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用.to-3p這種直插式的封裝,有字的一面朝向自己,引腳向下,這樣從左到右依次是 g、c、e。

其中,g就是柵極,

c是集電極,相當(dāng)于d漏極,

e是發(fā)射極,相當(dāng)于s源極。

MOS的源極和漏極有什么區(qū)別?

1、區(qū)別:源極(source)source資源,電源,中文翻譯為源極。起集電作用的電極。漏極(drain)drain排出,泄漏,中文翻譯為漏極。起發(fā)射作用的電極。

2、mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。mos管的定義:場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)是在一塊n型半導(dǎo)體的兩邊利用雜質(zhì)擴(kuò)散出高濃度的p型區(qū)域,用p+表示,形成兩個p+n結(jié)。n型半導(dǎo)體的兩端引出兩個電極,分別稱為漏極d和源極s。 把兩邊的p區(qū)引出電極并連在一起稱為柵極g。如果在漏、源極間加上正向電壓,n區(qū)中的多子(也就是電子)可以導(dǎo)電。它們從源極s出發(fā), 流向漏極d。電流方向由d指向s,稱為漏極電流id.。由于導(dǎo)電溝道是n型的,故稱為n溝道結(jié)型場效應(yīng)管。

場效應(yīng)管(包括結(jié)型和絕緣柵型)的漏極與源極通常制成對稱的,漏極和源極可以互換使用。

但是有的絕緣柵場效應(yīng)管在制造產(chǎn)品

時已把源極和襯底連接在一起了

,所以這種管子的源極和漏極就不能互換。有的管子則將襯底單獨(dú)引出一個管腳,形成四個管腳。一般情況p襯底接低電位,n襯底接高電位。MS在半導(dǎo)體材料的層面上沒有本質(zhì)區(qū)別,當(dāng)時在半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)時, 一般將襯底極與源極相連,所以MOSFET的開關(guān)性能與V_{GS}相關(guān),只要V_{GS}超過閾值,就導(dǎo)通/截止(取決于耗盡型還是增強(qiáng)型)所以本質(zhì)上S,D是由半導(dǎo)體器件制造時內(nèi)部連接方式?jīng)Q定的.所以反接會導(dǎo)致短路

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