如下是一個(gè)NMOS的開(kāi)關(guān)電路，階躍信號(hào)VG1設(shè)置DC電平2V，方波（振幅2V，頻率50Hz），T2的開(kāi)啟電壓2V，所以MOS管T2會(huì)以周期T=20ms進(jìn)行開(kāi)啟和截止?fàn)顟B(tài)的切換。
首先仿真Vgs和Vds的波形，會(huì)看到Vgs=2V的時(shí)候有一個(gè)
小平臺(tái) ，有人會(huì)好奇為什么Vgs在上升時(shí)會(huì)有一個(gè)小平臺(tái)？
MOS管Vgs小平臺(tái)
帶著這個(gè)疑問(wèn)，我們嘗試將電阻R1由5K改為1K，再次仿真，發(fā)現(xiàn)這個(gè)平臺(tái)變得很小，幾乎沒(méi)有了，這又是為什么呢？
MOS管Vgs小平臺(tái)有改善
為了理解這種現(xiàn)象，需要理論知識(shí)的支撐。
MOS管的等效模型
我們通?？吹降?a target="_blank" title="MOS管" href="/products/Low-voltageMOS.html">MOS管圖形是左邊這種，右邊的稱為
MOS管的等效模型。
其中：Cgs稱為GS寄生電容，Cgd稱為GD寄生電容，輸入電容Ciss=Cgs+Cgd，輸出電容Coss=Cgd+Cds，反向傳輸電容Crss=Cgd，也叫米勒電容。
如果你不了解
MOS管輸入輸出電容概念，請(qǐng)點(diǎn)擊： 帶你讀懂
MOS管參數(shù)「熱阻、輸入輸出電容及開(kāi)關(guān)時(shí)間」
米勒效應(yīng)的罪魁禍?zhǔn)拙褪敲桌针娙?，米勒效?yīng)指其輸入輸出之間的分布電容Cgd在反相放大的作用下，使得等效輸入電容值放大的效應(yīng)，米勒效應(yīng)會(huì)形成米勒平臺(tái)。
首先我們需要知道的一個(gè)點(diǎn)是：因?yàn)?a target="_blank" title="MOS管" href="/products/Low-voltageMOS.html">MOS管制造工藝，必定產(chǎn)生Cgd，也就是米勒電容必定存在，所以米勒效應(yīng)不可避免。
那米勒效應(yīng)的缺點(diǎn)是什么呢？ MOS管的開(kāi)啟是一個(gè)從無(wú)到有的過(guò)程，
MOS管D極和S極重疊時(shí)間越長(zhǎng)，
MOS管的導(dǎo)通損耗越大。因?yàn)橛辛嗣桌针娙?，有了米勒平臺(tái)，
MOS管的開(kāi)啟時(shí)間變長(zhǎng)，
MOS管的導(dǎo)通損耗必定會(huì)增大。
仿真時(shí)我們將G極電阻R1變小之后，發(fā)現(xiàn)米勒平臺(tái)有改善？原因我們應(yīng)該都知道了。
MOS管的開(kāi)啟可以看做是輸入電壓通過(guò)柵極電阻R1對(duì)寄生電容Cgs的充電過(guò)程，R1越小，Cgs充電越快，
MOS管開(kāi)啟就越快，這是減小柵極電阻，米勒平臺(tái)有改善的原因。
那在米勒平臺(tái)究竟發(fā)生了一些什么？
以N
MOS管來(lái)說(shuō)，在
MOS管開(kāi)啟之前，D極電壓是大于G極電壓的，隨著輸入電壓的增大，Vgs在增大，Cgd存儲(chǔ)的電荷同時(shí)需要和輸入電壓進(jìn)行中和，因?yàn)?a target="_blank" title="MOS管" href="/products/Low-voltageMOS.html">MOS管完全導(dǎo)通時(shí)，G極電壓是大于D極電壓的。
所以在米勒平臺(tái)，是Cgd充電的過(guò)程，這時(shí)候Vgs變化則很小，當(dāng)Cgd和Cgs處在同等水平時(shí)，Vgs才開(kāi)始繼續(xù)上升。
我們以下右圖來(lái)分析米勒效應(yīng)，
這個(gè)電路圖是一個(gè)什么情況？
MOS管D極負(fù)載是電感加續(xù)流二極管，工作模式和DC-DC BUCK一樣，
MOS管導(dǎo)通時(shí)，VDD對(duì)電感L進(jìn)行充電，因?yàn)?a target="_blank" title="MOS管" href="/products/Low-voltageMOS.html">MOS管導(dǎo)通時(shí)間極短，可以近似電感為一個(gè)恒流源，在
MOS管關(guān)閉時(shí)，續(xù)流二極管給電感L提供一個(gè)泄放路徑，形成續(xù)流。
MOS管的開(kāi)啟可以分為4個(gè)階段。
t0~t1階段 從t0開(kāi)始，G極給電容Cgs充電，Vgs從0V上升到Vgs(th)時(shí)，
MOS管都處于截止?fàn)顟B(tài)，Vds保持不變，Id為零。
t1~t2階段 從t1后，Vgs大于
MOS管開(kāi)啟電壓Vgs(th)，
MOS管開(kāi)始導(dǎo)通，Id電流上升，此時(shí)的等效電路圖如下所示，在IDS電流沒(méi)有達(dá)到電感電流時(shí)，一部分電流會(huì)流過(guò)二極管，二極管DF仍是導(dǎo)通狀態(tài)，二極管的兩端處于一個(gè)鉗位狀態(tài)，這個(gè)時(shí)候Vds電壓幾乎不變，只有一個(gè)很小的下降（雜散電感的影響）。
t1~t2階段等效電路
t2~t3階段 隨著Vgs電壓的上升，IDS電流和電感電流一樣時(shí)，
MOS管D極電壓不再被二極管DF鉗位，DF處于反向截止?fàn)顟B(tài)，所以Vds開(kāi)始下降，這時(shí)候G極的驅(qū)動(dòng)電流轉(zhuǎn)移給Cgd充電，
Vgs出現(xiàn)了米勒平臺(tái)，Vgs電壓維持不變，Vds逐漸下降至導(dǎo)通壓降VF。
t2~t3階段等效電路
t3~t4階段 當(dāng)米勒電容Cgd充滿電時(shí)，Vgs電壓繼續(xù)上升，直至
MOS管完全導(dǎo)通。
結(jié)合MOS管輸出曲線，總結(jié)一下MOS管的導(dǎo)通過(guò)程
t0~t1，
MOS管處于截止區(qū)；t1后，Vgs超過(guò)
MOS管開(kāi)啟電壓，隨著Vgs的增大，ID增大，當(dāng)ID上升到和電感電流一樣時(shí)，續(xù)流二極管反向截止，t2~t3時(shí)間段，Vgs進(jìn)入米勒平臺(tái)期，這個(gè)時(shí)候D極電壓不再被續(xù)流二極管鉗位，MOS的夾斷區(qū)變小，t3后進(jìn)入線性電阻區(qū)，Vgs則繼續(xù)上升，Vds逐漸減小，直至
MOS管完全導(dǎo)通。
MOS管輸出曲線
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