中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)在缺乏核心技術(shù)的困境下，國(guó)產(chǎn)替代的呼聲越來(lái)越高。在國(guó)家政策的大力扶持下，國(guó)內(nèi)芯片制造商呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長(zhǎng)，國(guó)產(chǎn)芯片的自給率也從不到5%上升至20%~30%。據(jù)預(yù)測(cè)，到2025年，國(guó)產(chǎn)芯片的自給率有望進(jìn)一步提升。作為一家國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)，薩科微積極響應(yīng)國(guó)家號(hào)召，致力于國(guó)產(chǎn)芯片的研發(fā)和生產(chǎn)。已經(jīng)通過(guò)ISO9001質(zhì)量管理體系認(rèn)證，并獲得了歐盟的ROHS和REACH認(rèn)證。憑借優(yōu)秀的品質(zhì)和規(guī)范的服務(wù)，薩科微在國(guó)產(chǎn)替代的浪潮中迅速嶄露頭角，品牌知名度、美譽(yù)度和市場(chǎng)占有率不斷提升。薩科微主要生產(chǎn)二極管三極管、功率器件和電源管理芯片等三大系列產(chǎn)品。此外，他們還推出了霍爾傳感器、ADC和BMS等新產(chǎn)品，在專(zhuān)用MCU和接口芯片方面擁有多年的技術(shù)積累。這些產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于各個(gè)行業(yè)，包括通信、消費(fèi)電子、家電、新能源等領(lǐng)域。

薩科微 碳化硅專(zhuān)家

隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，MOS管作為一種重要的半導(dǎo)體器件，應(yīng)用范圍逐漸擴(kuò)大。在各種電力設(shè)備、自動(dòng)化控制系統(tǒng)和新能源設(shè)備中，MOS管都有著廣泛的應(yīng)用。而薩科微半導(dǎo)體近期推出的中壓N溝道MOS管SL49N10G，具有先進(jìn)的溝槽電池設(shè)計(jì)和優(yōu)秀的參數(shù)特性，可以滿(mǎn)足電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域的需求。

薩科微半導(dǎo)體中壓MOS管SL49N10G產(chǎn)品圖

SL49N10G的漏源電壓為100V，連續(xù)漏極電流可達(dá)49A，導(dǎo)通電阻為7.6mΩ@10V,20A，閾值電壓為2V@250uA，封裝為PDFN(3.3x3.3)。這些參數(shù)特點(diǎn)使得它在不同領(lǐng)域的應(yīng)用具有很大優(yōu)勢(shì)。首先，漏源電壓高達(dá)100V，可以滿(mǎn)足各類(lèi)高壓應(yīng)用的需求。其次，連續(xù)漏極電流為49A，使得SL49N10G可以承載更大的負(fù)載電流，適用于電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。此外，導(dǎo)通電阻小，可以更好地控制開(kāi)關(guān)損耗，提高電路效率，閾值電壓低，更容易實(shí)現(xiàn)設(shè)備的控制。最后，封裝為PDFN(3.3x3.3)，體積小巧，可在緊湊的電路板中靈活布局。因此，它不僅可以滿(mǎn)足高性能電子設(shè)備的需求，同時(shí)也更適合于微型、便攜式電子設(shè)備的應(yīng)用。

薩科微半導(dǎo)體中壓MOS管SL49N10G

從設(shè)計(jì)上來(lái)看，該產(chǎn)品采用了薩科微半導(dǎo)體先進(jìn)的溝槽電池設(shè)計(jì)，整體結(jié)構(gòu)緊湊、散熱性能優(yōu)異，可以提供更快的開(kāi)關(guān)速度和更低的開(kāi)關(guān)損耗。另外，SL49N10G通過(guò)了100% UIS 和 Rg 測(cè)試，穩(wěn)定可靠。

薩科微半導(dǎo)體中壓MOS管SL49N10G

與其他型號(hào)的MOS管相比，SL49N10G具有更低的導(dǎo)通電阻和更高的漏源電壓。這使得它可以應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域，為電路帶來(lái)更高的效率和更好的性能表現(xiàn)。導(dǎo)通電阻是衡量MOS管導(dǎo)通狀態(tài)下電流流過(guò)時(shí)的電阻大小。SL49N10G的導(dǎo)通電阻較低，意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，電流通過(guò)MOS管時(shí)能夠遇到更低的電阻阻礙，進(jìn)而減少了功耗和熱量的產(chǎn)生。這對(duì)于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和DC-DC轉(zhuǎn)換器等需要高效能的應(yīng)用而言，意味著更高的效率和更好的性能表現(xiàn)。而漏源電壓是指MOS管在導(dǎo)通狀態(tài)下能夠承受的[敏感詞]電壓。SL49N10G的漏源電壓可達(dá)100V，表示它能夠適應(yīng)更廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景，特別是對(duì)于需要處理高電壓的電路。

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薩科微的高端產(chǎn)品有碳化硅SiC二極管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管、第五代超快恢復(fù)功率二極管等，可滿(mǎn)足新能源汽車(chē)、高端裝備、通訊電力設(shè)備、太陽(yáng)能光伏、醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化等行業(yè)需求；薩科微通用型類(lèi)產(chǎn)品有肖特基二極管、ESD靜電保護(hù)二極管、TVS瞬態(tài)抑制二極管、通用型二極管三極管，功率器件有高中低壓的MOS場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅、橋堆等，和電源管理芯片LDO、AC-DC、ADC芯片系列、還有霍爾HALL傳感器、高速光耦、晶振等配套產(chǎn)品，在智能手機(jī)、手提電腦、機(jī)器人、智慧家居、物聯(lián)網(wǎng)、LED照明、3C數(shù)碼、智能可穿戴設(shè)備、萬(wàn)物智聯(lián)等產(chǎn)品廣泛應(yīng)用！

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