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【每日一品】薩科微半導(dǎo)體SL49N10G:高性能N溝道MOS管

發(fā)布時(shí)間:2024-01-19作者來(lái)源:薩科微瀏覽:1234

中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)在缺乏核心技術(shù)的困境下,國(guó)產(chǎn)替代的呼聲越來(lái)越高。在國(guó)家政策的大力扶持下,國(guó)內(nèi)芯片制造商呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長(zhǎng),國(guó)產(chǎn)芯片的自給率也從不到5%上升至20%~30%。據(jù)預(yù)測(cè),到2025年,國(guó)產(chǎn)芯片的自給率有望進(jìn)一步提升。作為一家國(guó)家高新技術(shù)企業(yè),薩科微積極響應(yīng)國(guó)家號(hào)召,致力于國(guó)產(chǎn)芯片的研發(fā)和生產(chǎn)。已經(jīng)通過(guò)ISO9001質(zhì)量管理體系認(rèn)證,并獲得了歐盟的ROHSREACH認(rèn)證。憑借優(yōu)秀的品質(zhì)和規(guī)范的服務(wù),薩科微在國(guó)產(chǎn)替代的浪潮中迅速嶄露頭角,品牌知名度、美譽(yù)度和市場(chǎng)占有率不斷提升。薩科微主要生產(chǎn)二極管三極管、功率器件和電源管理芯片等三大系列產(chǎn)品。此外,他們還推出了霍爾傳感器、ADCBMS等新產(chǎn)品,在專(zhuān)用MCU和接口芯片方面擁有多年的技術(shù)積累。這些產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于各個(gè)行業(yè),包括通信、消費(fèi)電子、家電、新能源等領(lǐng)域。

 

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薩科微 碳化硅專(zhuān)家

 

隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,MOS管作為一種重要的半導(dǎo)體器件,應(yīng)用范圍逐漸擴(kuò)大。在各種電力設(shè)備、自動(dòng)化控制系統(tǒng)和新能源設(shè)備中,MOS管都有著廣泛的應(yīng)用。而薩科微半導(dǎo)體近期推出的中壓N溝道MOSSL49N10G,具有先進(jìn)的溝槽電池設(shè)計(jì)和優(yōu)秀的參數(shù)特性,可以滿(mǎn)足電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域的需求。

 

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薩科微半導(dǎo)體中壓MOSSL49N10G產(chǎn)品圖

 

SL49N10G的漏源電壓為100V,連續(xù)漏極電流可達(dá)49A,導(dǎo)通電阻為7.6mΩ@10V,20A,閾值電壓為2V@250uA,封裝為PDFN(3.3x3.3)。這些參數(shù)特點(diǎn)使得它在不同領(lǐng)域的應(yīng)用具有很大優(yōu)勢(shì)。首先,漏源電壓高達(dá)100V,可以滿(mǎn)足各類(lèi)高壓應(yīng)用的需求。其次,連續(xù)漏極電流為49A,使得SL49N10G可以承載更大的負(fù)載電流,適用于電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。此外,導(dǎo)通電阻小,可以更好地控制開(kāi)關(guān)損耗,提高電路效率,閾值電壓低,更容易實(shí)現(xiàn)設(shè)備的控制。最后,封裝為PDFN(3.3x3.3),體積小巧,可在緊湊的電路板中靈活布局。因此,它不僅可以滿(mǎn)足高性能電子設(shè)備的需求,同時(shí)也更適合于微型、便攜式電子設(shè)備的應(yīng)用。

 

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薩科微半導(dǎo)體中壓MOSSL49N10G

 

從設(shè)計(jì)上來(lái)看,該產(chǎn)品采用了薩科微半導(dǎo)體先進(jìn)的溝槽電池設(shè)計(jì),整體結(jié)構(gòu)緊湊、散熱性能優(yōu)異,可以提供更快的開(kāi)關(guān)速度和更低的開(kāi)關(guān)損耗。另外,SL49N10G通過(guò)了100% UIS Rg 測(cè)試,穩(wěn)定可靠。

 

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薩科微半導(dǎo)體中壓MOSSL49N10G

 

與其他型號(hào)的MOS管相比,SL49N10G具有更低的導(dǎo)通電阻和更高的漏源電壓。這使得它可以應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域,為電路帶來(lái)更高的效率和更好的性能表現(xiàn)。導(dǎo)通電阻是衡量MOS管導(dǎo)通狀態(tài)下電流流過(guò)時(shí)的電阻大小。SL49N10G的導(dǎo)通電阻較低,意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,電流通過(guò)MOS管時(shí)能夠遇到更低的電阻阻礙,進(jìn)而減少了功耗和熱量的產(chǎn)生。這對(duì)于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和DC-DC轉(zhuǎn)換器等需要高效能的應(yīng)用而言,意味著更高的效率和更好的性能表現(xiàn)。而漏源電壓是指MOS管在導(dǎo)通狀態(tài)下能夠承受的[敏感詞]電壓。SL49N10G的漏源電壓可達(dá)100V,表示它能夠適應(yīng)更廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景,特別是對(duì)于需要處理高電壓的電路。

 

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關(guān)于薩科微slkor

薩科微的高端產(chǎn)品有碳化硅SiC二極管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管、第五代超快恢復(fù)功率二極管等,可滿(mǎn)足新能源汽車(chē)、高端裝備、通訊電力設(shè)備、太陽(yáng)能光伏、醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化等行業(yè)需求;薩科微通用型類(lèi)產(chǎn)品有肖特基二極管ESD靜電保護(hù)二極管、TVS瞬態(tài)抑制二極管、通用型二極管三極管,功率器件有高中低壓的MOS場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅、橋堆等,和電源管理芯片LDOAC-DC、ADC芯片系列、還有霍爾HALL傳感器、高速光耦、晶振等配套產(chǎn)品,在智能手機(jī)、手提電腦、機(jī)器人、智慧家居、物聯(lián)網(wǎng)、LED照明、3C數(shù)碼、智能可穿戴設(shè)備、萬(wàn)物智聯(lián)等產(chǎn)品廣泛應(yīng)用!

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