二極管是一種常見的半導(dǎo)體器件，根據(jù)所用的半導(dǎo)體材料不同，可以分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）。根據(jù)其不同的用途，二極管又可以分為檢波二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二極管、開關(guān)二極管等不同類型。此外，根據(jù)管芯結(jié)構(gòu)的不同，二極管還可以分為點(diǎn)接觸型二極管、面接觸型二極管以及平面型二極管。
點(diǎn)接觸型?極管是??根很細(xì)的金屬絲壓在光潔的半導(dǎo)體晶?表?，通以脈沖電流，使觸絲?端與晶?牢固地?zé)Y(jié)在?起，形成?個“PN結(jié)”。由于是點(diǎn)接觸，只允許通過較?的電流（不超過??毫安），適?于?頻?電流電路，如收?機(jī)的檢波等。面接觸型?極管的“PN結(jié)”?積較?，允許通過較?的電流（?安到??安），主要?于把交流電變換成直流電的“整流”電路中。平?型?極管是?種特制的硅?極管，它不僅能通過較?的電流，?且性能穩(wěn)定可靠，多?于開關(guān)、脈沖及?頻電路中。

1 晶體?極管的分類
1.1 根據(jù)構(gòu)造分類
半導(dǎo)體?極管主要是依靠PN結(jié)??作的。與PN結(jié)不可分割的點(diǎn)接觸型和肖特基型，也被列??般的?極管的范圍內(nèi)。包括這兩種型號在內(nèi)，根據(jù)PN結(jié)構(gòu)造?的特點(diǎn)，把晶體?極管分類如下：

點(diǎn)接觸型?極管

是一種最早期的半導(dǎo)體器件之一，也被稱為晶體管的前身。它是由德國物理學(xué)家卡爾·費(fèi)迪南德·布勞恩（Karl Ferdinand Braun）于1874年首次發(fā)現(xiàn)。點(diǎn)接觸二極管由兩個不同材料的半導(dǎo)體片組成，其中一個是n型（電子摻雜）半導(dǎo)體片，另一個是p型（空穴摻雜）半導(dǎo)體片，它們通過一個極小的點(diǎn)接觸而連接。

點(diǎn)接觸二極管在工作時，通過在p-n接觸處施加正向電壓，使得電流從p型區(qū)域注入到n型區(qū)域。當(dāng)施加正向偏壓時，電子從n型區(qū)域注入p型區(qū)域，而空穴則從p型區(qū)域注入n型區(qū)域。因此，電流可以在p-n結(jié)的兩側(cè)流動，形成電流的導(dǎo)通。

然而，點(diǎn)接觸二極管存在一些缺點(diǎn)，如溫度敏感性高、制造成本高、不穩(wěn)定等。后來，晶體管（特別是晶體管的結(jié)構(gòu)改進(jìn)）逐漸取代了點(diǎn)接觸二極管。晶體管具有更高的穩(wěn)定性、可靠性和性能，成為了現(xiàn)代電子器件的基礎(chǔ)。點(diǎn)接觸二極管的重要性在技術(shù)發(fā)展中已經(jīng)大幅減少，但它作為半導(dǎo)體器件的開創(chuàng)者仍然具有歷史意義。

點(diǎn)接觸型?極管是在鍺或硅材料的單晶?上壓觸?根?屬針后，再通過電流法?形成的。因此，其PN結(jié)的靜電容量?，適?于?頻電路。但是，與?結(jié)型相?較，點(diǎn)接觸型?極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使?于?電流和整流。因?yàn)闃?gòu)造簡單，所以價格便宜。對于?信號的檢波、整流、調(diào)制、混頻和限幅等?般?途??，它是應(yīng)?范圍較?的類型。

面接觸型二極管（Surface Barrier Diode）是一種高頻用途的特殊類型的二極管。面接觸型二極管的主要特點(diǎn)是其具有較快的反向恢復(fù)時間和較低的電容。這使得它們在高頻應(yīng)用中非常有用，例如射頻放大器、混頻器、檢波器等。

面接觸型二極管通常由金屬與半導(dǎo)體材料之間的面接觸構(gòu)成。金屬層與半導(dǎo)體材料直接接觸，因此電子在兩者之間移動的距離更短，反向恢復(fù)時間更快。此外，面接觸型二極管的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)使得其電容較低，進(jìn)一步提高了其在高頻應(yīng)用中的性能。

總的來說，面接觸型二極管在高頻電路中的應(yīng)用非常廣泛，特別是在需要快速開關(guān)和低電容的場合。它們提供了一種有效的方式來處理高頻信號，使得其在無線通信、雷達(dá)系統(tǒng)、廣播等領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用。

平?型?極管
在半導(dǎo)體單晶?（主要地是N型硅單晶?）上，擴(kuò)散P型雜質(zhì)，利?硅?表?氧化膜的屏蔽作?，在N型硅單晶?上僅選擇性地?cái)U(kuò)散?部分?形成的PN結(jié)。因此，不需要為調(diào)整PN結(jié)?積的藥品腐蝕作?。由于半導(dǎo)體表?被制作得平整，故?得名。并且，PN結(jié)合的表?，因被氧化膜覆蓋，所以公認(rèn)為是穩(wěn)定性好和壽命?的類型。最初，對于被使?的半導(dǎo)體材料是采?外延法形成的，故?把平?型稱為外延平?型。對平?型?極管??，似乎使?于?電流整流?的型號很少，?作?電流開關(guān)?的型號則很多。

鍵型?極管
鍵型?極管是在鍺或硅的單晶?上熔接或銀的細(xì)絲?形成的。其特性介于點(diǎn)接觸型?極管和合金型?極管之間。與點(diǎn)接觸型相?較，雖然鍵型?極管的PN結(jié)電容量稍有增加，但正向特性特別優(yōu)良。多作開關(guān)?，有時也被應(yīng)?于檢波和電源整流（不?于50mA）。在鍵型?極管中，熔接?絲的?極管有時被稱?鍵型，熔接銀絲的?極管有時被稱為銀鍵型。

其內(nèi)部結(jié)構(gòu)由金屬與半導(dǎo)體之間的金屬-半導(dǎo)體接觸（Schottky接觸）組成。

內(nèi)部結(jié)構(gòu)的主要組成部分包括：

1. 金屬層（陽極）：鍵型二極管的一個端口通常是金屬層，也稱為陽極。這個金屬層可以是鉑、鉬、鉻、鋁等金屬。

2. 半導(dǎo)體層（陰極）：另一個端口是半導(dǎo)體層，也稱為陰極。這個半導(dǎo)體層通常是n型或p型的硅（Silicon）或碳化硅（Silicon Carbide）等半導(dǎo)體材料。

3. Schottky接觸界面：金屬層和半導(dǎo)體層之間形成了一個金屬-半導(dǎo)體接觸，稱為Schottky接觸。這個接觸是非晶態(tài)或非均勻的，不像PN結(jié)二極管那樣有明確定義的P型和N型區(qū)域。

4. 表面特征：鍵型二極管的金屬-半導(dǎo)體接觸通常具有一些表面特征，如微觀凹陷或起伏，這些特征可以增加接觸區(qū)域的有效表面積，從而降低接觸電阻。

鍵型二極管由于其金屬-半導(dǎo)體接觸的特殊性質(zhì)，具有許多優(yōu)點(diǎn)，包括快速開關(guān)速度、低正向電壓降、高溫特性良好等。它們在高頻電路、功率電子器件、混頻器、檢波器等領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用。

合?型?極管
在N型鍺或硅的單晶?上，通過合?銦、鋁等?屬的?法制作PN結(jié)?形成的。正向電壓降?，適于?電流整流。因其PN結(jié)反向時靜電容量?，所以不適于?頻檢波和?頻整流。

擴(kuò)散型?極管
在?溫的P型雜質(zhì)?體中，加熱N型鍺或硅的單晶?，使單晶?表?的?部變成P型，以此法PN結(jié)。因PN結(jié)正向電壓降?，適?于?電流整流。最近，使??電流整流器的主流已由硅合?型轉(zhuǎn)移到硅擴(kuò)散型。

臺?型?極管
PN結(jié)的制作?法雖然與擴(kuò)散型相同，但是，只保留PN結(jié)及其必要的部分，把不必要的部分?藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現(xiàn)出臺?形，因?得名。初期?產(chǎn)的臺?型，是對半導(dǎo)體材料使?擴(kuò)散法?制成的。因此，?把這種臺?型稱為擴(kuò)散臺?型。對于這?類型來說，似乎?電流整流?的產(chǎn)品型號很少，??電流開關(guān)?的產(chǎn)品型號卻很多。

合?擴(kuò)散型?極管
它是合?型的?種。合?材料是容易被擴(kuò)散的材料。把難以制作的材料通過巧妙地?fù)脚潆s質(zhì)，就能與合??起過擴(kuò)散，以便在已經(jīng)形成的PN結(jié)中獲得雜質(zhì)的恰當(dāng)?shù)臐舛确植?。此法適?于制造?靈敏度的變?nèi)?極管。

外延型?極管
?外延??的過程制造PN結(jié)?形成的?極管。制造時需要?常?超的技術(shù)。因能隨意地控制雜質(zhì)的不同濃度的分布，故適宜于制造?靈敏度的變?nèi)?極管。

肖特基?極管
基本原理是：在?屬（例如鉛）和半導(dǎo)體（N型硅?）的接觸?上，?已形成的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與PN結(jié)的整流作?原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40V左右。其特?是：開關(guān)速度?常快：反向恢復(fù)時間trr特別地短。因此，能制作開關(guān)?極和低壓?電流整流?極管。

"肖特基"通常指的是德國物理學(xué)家沃爾特·肖特基（Walter H. Schottky）。他生于1886年，于1976年去世。肖特基在電子學(xué)和半導(dǎo)體物理學(xué)領(lǐng)域做出了重要貢獻(xiàn)，尤其是在半導(dǎo)體器件方面。他最[敏感詞]的貢獻(xiàn)之一是肖特基二極管，這是一種利用金屬-半導(dǎo)體接觸的二極管。這種二極管具有低噪聲、高速度和高穩(wěn)定性等特性，在無線電、微波和其他電子領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。

除了肖特基二極管，肖特基還對真空管、晶體管以及其他電子器件的理論和設(shè)計(jì)做出了重要貢獻(xiàn)。他的工作對于現(xiàn)代電子技術(shù)的發(fā)展具有深遠(yuǎn)影響，并使他成為20世紀(jì)最重要的電子學(xué)家之一。

肖特基二極管（Schottky diode）是一種特殊類型的二極管，其工作原理基于肖特基效應(yīng)。這種效應(yīng)是指當(dāng)金屬與半導(dǎo)體接觸時，在金屬和半導(dǎo)體之間會形成一個能量勢壘，這個勢壘相比于PN結(jié)二極管的PN結(jié)形成的勢壘更低。肖特基二極管的工作原理主要包括以下幾個方面：

1. 電荷注入和排斥：當(dāng)金屬與半導(dǎo)體接觸時，金屬中的自由電子會向半導(dǎo)體區(qū)域注入，并與半導(dǎo)體中的自由載流子（通常是電子）進(jìn)行復(fù)合。這會在接觸界面形成一個具有電子虧缺的區(qū)域（稱為空間電荷區(qū)），形成了勢壘。這個過程是一個熱激發(fā)的過程，不需要外加電壓。

2. 勢壘的高導(dǎo)電性：由于肖特基二極管的勢壘較低，所以電子能夠相對容易地通過勢壘，這導(dǎo)致了肖特基二極管具有非?？斓拈_關(guān)特性和低的正向電壓降。

3. 快速開關(guān)特性：肖特基二極管的快速開關(guān)特性使得它在高頻應(yīng)用中特別有用，比如射頻（RF）應(yīng)用或高速開關(guān)電源。

4. 低反向漏電流：與普通PN結(jié)二極管相比，肖特基二極管在反向偏置時有更低的漏電流，這是由于它的勢壘高度較低所致。

總的來說，肖特基二極管的工作原理是基于金屬與半導(dǎo)體之間形成的勢壘以及勢壘的導(dǎo)電特性。