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SiC MOSFET有趣的IP故事集 — 英飛凌半包,羅姆雙溝槽,住友接地雙掩埋,及 躺贏的GE

發(fā)布時間:2022-03-18作者來源:薩科微瀏覽:4340

一個碳化硅芯片業(yè)余愛好者的學(xué)習(xí)筆記。文獻(xiàn)整理,業(yè)界新聞,偶有所得,天馬行空。本公眾號屬于個人學(xué)習(xí)筆記,僅為個人業(yè)余興趣愛好,不涉及任何商業(yè)目的。文中如果有引用不規(guī)范的地方敬請見諒。有人的愛好是養(yǎng)花養(yǎng)草唱歌釣魚,也有人喜歡寫Twiter博客抖音,我最近幾年,喜歡周末偶爾讀點書刷刷paper,看看前沿方向材料和器件技術(shù)發(fā)展。

題記:做點有趣的事,做個有趣的靈魂。


    瞎聊了幾句羅姆雙溝槽IP的訴訟案花邊新聞??,發(fā)現(xiàn)感興趣的朋友還真不少。很多交流和問題沒法一一回復(fù)了。那就繼續(xù)瞎聊聊


    關(guān)于這幾個溝槽結(jié)構(gòu)專利,其實也沒啥好多聊的,大家都知道,沒辦法,這就是起的早的??有蟲吃,和早些年搶占域名注冊類似,
咱們都來晚了幾年…


    這幾個溝槽結(jié)構(gòu),都是基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)。有時候看起來有種特別的美,仔細(xì)一看,特別對稱。
    想象一下把這些結(jié)構(gòu)做個排列組合,在三維立體空間重新組合下…是不是很有趣!


    這就是為啥總說那三個結(jié)構(gòu),“英飛凌半包,羅姆雙溝槽,住友接地雙掩埋” 是基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)。
   很有趣吧!…
可惜的是,按國際專利法,排列組合不管用??!

   否則Rohm可以輕松在雙溝槽旁邊集成個肖特基二極管進(jìn)去,是不是就不用這么辛苦打官司了!


     這個官司打起來,看起來是沒個完了。這也從側(cè)面充分證明了,真正有用的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)專利IP是多么稀有!

   特別是,現(xiàn)在搞碳化硅器件的越來越多,很多原來做硅IGBT和CoolMOS的,轉(zhuǎn)過來做個碳化硅二極管和平面MOSFET,基本是分分鐘就出產(chǎn)品。
   這種情況下,碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)的IP,彌足珍貴!


    我曾經(jīng)一度很想去創(chuàng)業(yè)。特別是在肖特基街道辦學(xué)了幾手之后,認(rèn)為既然自己差不多能一個人從設(shè)計版圖到工藝集成開發(fā)流片全搞完,是不是可以找點錢??試試了!

   等一點點看完各個結(jié)構(gòu)的發(fā)展歷史和專利權(quán)人,發(fā)現(xiàn)特么SiC的結(jié)構(gòu)發(fā)展,和當(dāng)年硅IGBT七代結(jié)構(gòu)和工藝的發(fā)展,還真有不少類似點!


驚訝的是,居然很多結(jié)構(gòu)和工藝IP的源頭,居然在GE那兒!

曾經(jīng)一度以為平面MOS里沒有專利問題,現(xiàn)在卻不太確定了。等把GE和日本團(tuán)體那些專利都一點點讀完,不知道是啥時候了!


而且,日本是團(tuán)體作戰(zhàn),這個對于專利布局來說優(yōu)勢互補。很管用!

   例如,我曾經(jīng)覺得相對于英飛凌半包和Rohm雙溝槽,其實在住友的接地雙掩埋IP里添點料加點粉,會是個很好的溝槽結(jié)構(gòu)IP的突破口。還有很多東西可以做做。而且將來不會像Infenion半包和雙溝槽那么顯眼容易被訴訟。

    但最近兩年,在Rohm打官司的同時,發(fā)現(xiàn)日本電裝富士羅姆豐田這幾家在怒吼式的申請專利,在原來的幾種結(jié)構(gòu)上瘋狂繡花??,查缺補漏。簡直是想要在溝里再修幾套高樓的樣子。例如接地雙掩埋那個結(jié)構(gòu),足足就搞了十七八種變體和組合…



    今年九月份的時候,聽說三安也想開始開發(fā)碳化硅溝槽MOSFET,苦于溝槽結(jié)構(gòu)專利避不開,最后干脆選擇先照著做一個出來再說。于是直接從北京微電子所招了個博士,開始仿照著做個溝槽結(jié)構(gòu)。


   不扯遠(yuǎn)了,剛本來想聊GE的。這才是真正的碳化硅IP大佬。只不過碳化硅器件對于GE來說是個小生意,GE興趣不大。連暴利的醫(yī)療裝備GE都懶得搭理了,說不清GE現(xiàn)在究竟啥情況


     這兩周GE正在鬧分家。也許分完了以后,GE POWER能慢慢搞點小生意碳化硅器件也說不定。
畢竟,現(xiàn)在要各付各的晚餐費了。


    GE應(yīng)該對大功率器件還是挺有興趣的。分家之后,沒準(zhǔn)需要剝離重新上市。SiC可是個估值利器!看看最近GE POWER熱情高漲的跑中國發(fā)展宣傳就可見一斑。


   如果說GE POWER真的開始獨立出來,謀求單獨上市,那么功率芯片和SiC Power器件應(yīng)該是個重新出發(fā)的好港口。


 這個時機對GE POWER來說剛好。
正好碳化硅無比火熱,正好各玩家都特別有錢。
   也許,GE POWER 就可以像高通那樣,開始收割點韭菜,變成個POWER的IP提供商。


對于一個上百年的企業(yè)來說,
分家的故事才剛剛開始,以后的精彩紛呈,誰知道呢!






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