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GaN半導(dǎo)體器件塑造電子的未來格局

發(fā)布時(shí)間:2022-05-17作者來源:薩科微瀏覽:2048

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GaN半導(dǎo)體器件用于增長消費(fèi)電子產(chǎn)品的市場潛力 。


多年來,硅基半導(dǎo)體(如硅功率MOSFET)在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中一直占據(jù)著至高無上的地位。許多硅功率器件制造商已經(jīng)擴(kuò)大了他們的產(chǎn)品線。然而,在過去的幾年里,這些參與者在電力電子領(lǐng)域的獨(dú)特能力逐漸消退,開啟了GaN半導(dǎo)體器件市場產(chǎn)品開發(fā)的新時(shí)代。 

 

對(duì)GaN半導(dǎo)體器件的需求已經(jīng)蓬勃發(fā)展,以滿足多個(gè)行業(yè)中不斷擴(kuò)大的電力電子應(yīng)用。研發(fā)很早就開始了——也許是從過去十年開始的。 

 

產(chǎn)品開發(fā)勢頭積極,基于這些寬帶隙半導(dǎo)體器件的高性能、低成本開發(fā)、高功率密度和能效的領(lǐng)域。有趣的是,盡管被視為硅基技術(shù)的飛躍技術(shù),但它們的成本較低,這是因?yàn)榭梢允褂门c硅半導(dǎo)體相同的程序制造這些技術(shù)。 

 

隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,生產(chǎn)成本只會(huì)進(jìn)一步降低,從而刺激GaN半導(dǎo)體器件市場中新型器件的商業(yè)化步伐?;贕aN半導(dǎo)體的電力電子器件除了在功率轉(zhuǎn)換中的大量使用外,還在RF和模擬應(yīng)用中取得了前所未有的滲透。 

 

不斷有新進(jìn)入者進(jìn)入GaN半導(dǎo)體器件的豐富機(jī)會(huì)。他們不斷增加功能,特別是在GaN晶體管方面,并使價(jià)格具有競爭力,以獲得GaN半導(dǎo)體器件市場的更高份額。 

 

引人注目的是,其中一些公司提供的產(chǎn)品有望比[敏感詞]的硅基器件具有更好的功率密度和效率。一個(gè)恰當(dāng)?shù)睦邮窃S多公司在GaNHEMT器件(eHEMT)上進(jìn)行研發(fā)。首先,德國半導(dǎo)體公司英飛凌科技股份公司(InfineonTechnologiesAG)正在提供用于開關(guān)模式電源電路的GaNHEMT器件。有趣的是,其產(chǎn)品旨在提供高達(dá)600V的電壓范圍內(nèi)的功率轉(zhuǎn)換。因此,小型GaNFET中的新設(shè)計(jì)機(jī)會(huì)有望為消費(fèi)電子、汽車和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中的一些令人難以置信的途徑鋪平道路。 

 

氮化鎵功率器件在汽車行業(yè)商業(yè)化的巨大途徑 


多年來,GaN半導(dǎo)體器件的使用范圍顯著擴(kuò)大,這取決于先驅(qū)們在器件尺寸和性能方面取得突破的不懈努力。用于汽車電子的GaN正在吸引眾多車輛的關(guān)注。特別是自動(dòng)駕駛汽車一直是IC制造商為其旗艦產(chǎn)品尋求巨大商業(yè)化空間的主要應(yīng)用之一。 

 

毋庸置疑,汽車電子產(chǎn)品正走在耗電的道路上,多年來,無數(shù)的自主功能被添加到汽車中。汽車LiDAR就是一個(gè)很好的例子,GaN半導(dǎo)體器件市場的公司正在關(guān)注巨大的收入可能性。事實(shí)上,一些原始設(shè)備制造商和汽車公司的GaN技術(shù)通過推廣作為自動(dòng)駕駛汽車的下一代功率半導(dǎo)體技術(shù)來實(shí)現(xiàn)清潔能源轉(zhuǎn)型的目標(biāo)。 


 高性能增益和低成本使GaN技術(shù)對(duì)電動(dòng)汽車具有吸引力 

 

在GaN半導(dǎo)體器件市場運(yùn)營的許多利益相關(guān)者對(duì)GaN技術(shù)在加強(qiáng)運(yùn)輸部門電動(dòng)交通方面的應(yīng)用特別熱情。值得注意的是,它們旨在擴(kuò)大GaNIC的功率范圍和功能范圍,旨在成為電動(dòng)汽車下一代電力電子設(shè)備的推動(dòng)者。引人注目的是,預(yù)計(jì)越來越多的Tier-1汽車電子制造商將為聯(lián)網(wǎng)汽車中的電子驅(qū)動(dòng)功能提供GaNFET,從而為市場帶來新的收入來源。 

 

一項(xiàng)評(píng)估GaN半導(dǎo)體器件機(jī)會(huì)的深入商業(yè)智能研究預(yù)測,到2027年,全球估值將達(dá)到約40億美元。 

 

 GaN數(shù)據(jù)中心升級(jí)


在過去的10年中,數(shù)據(jù)流量成倍增加,預(yù)計(jì)這一趨勢將持續(xù)下去。在這種背景下,GaN驅(qū)動(dòng)的數(shù)據(jù)中心可能比后者更早成為現(xiàn)實(shí)。GaN功率IC可以作為現(xiàn)代超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的游戲規(guī)則改變者。 

 

GaN半導(dǎo)體器件業(yè)務(wù)看到穩(wěn)定收入潛力的另一個(gè)領(lǐng)域是便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品。它們越來越多地用于智能手機(jī)充電器以及一系列基于GaN的單端口和多端口充電器。 

 

展望未來,電力電子行業(yè)的持續(xù)進(jìn)步將導(dǎo)致GaN半導(dǎo)體器件的標(biāo)準(zhǔn)大規(guī)模生產(chǎn)設(shè)計(jì),并不斷專注于降低成本。這無疑開啟了半導(dǎo)體行業(yè)的新階段。 



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