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技術(shù)交流

Technology Exchange
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開(kāi)關(guān)電源二十種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)介紹
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù): 3250
什么是拓?fù)??所謂電路拓?fù)?,就是電路中功率器件和電磁元件的連接方法,而磁性元件的設(shè)計(jì)、閉環(huán)補(bǔ)償電路的設(shè)計(jì)以及其他所有電路元件的設(shè)計(jì)都依賴(lài)于拓?fù)?。最基本的拓?fù)溆薪祲海╞uck)、升壓(boost)和降壓/升壓(boost/buck)、非對(duì)稱(chēng)反激(isolated flyback)、正向、推挽、半橋和全橋變換器。開(kāi)關(guān)電源拓?fù)洹?/div>
關(guān)于芯片的內(nèi)部設(shè)計(jì)原理和結(jié)構(gòu)分析詳解
  • 更新日期: 2022-03-18
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摘要作為電源研發(fā)工程師,當(dāng)然經(jīng)常接觸各種芯片。 有些工程師可能對(duì)芯片的內(nèi)部不太熟悉。 許多學(xué)生在應(yīng)用新芯片時(shí)直接進(jìn)入數(shù)據(jù)集的應(yīng)用頁(yè)面,并根據(jù)推薦的設(shè)計(jì)構(gòu)建外設(shè)。 就是這樣。 這樣,即使應(yīng)用沒(méi)問(wèn)題,也忽略了技術(shù)細(xì)節(jié),也沒(méi)有為自己的技術(shù)成長(zhǎng)積累更好的體驗(yàn)。 今天以DC/DC降壓電源芯片LM2675為例,詳細(xì)說(shuō)明以下芯片的內(nèi)……
DC-DC的PCB設(shè)計(jì)需要注意哪些點(diǎn)?
  • 更新日期: 2022-03-18
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DC-DC的電路比LDO會(huì)復(fù)雜很多,噪聲也更大,布局和layout要求更高,layout的好壞直接影響DC-DC的性能,所以了解DC-DC的layout至關(guān)重要。 1. Bad layout EMI,DC-DC的SW管腳上面會(huì)有較高的dv/dt, 比較高的dv/dt會(huì)引起比較大的EMI干擾; 地線(xiàn)噪聲,地走線(xiàn)不好,會(huì)在地線(xiàn)上面會(huì)產(chǎn)生比較大的開(kāi)關(guān)噪聲,而這些噪聲會(huì)影響到其它部分的電路; 布線(xiàn)上產(chǎn)生電壓降,走線(xiàn)太長(zhǎng),會(huì)使走
電子封裝中的可靠性問(wèn)題(封裝缺陷、失效等),此篇文章做了清晰的敘述!
  • 更新日期: 2022-03-18
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電子器件是一個(gè)非常復(fù)雜的系統(tǒng),封裝過(guò)程中的缺陷和故障也非常復(fù)雜。 因此,對(duì)包裝缺陷和故障的研究需要對(duì)包裝過(guò)程有系統(tǒng)的了解,這樣才能從多個(gè)角度分析產(chǎn)生缺陷的原因。 封裝失效的機(jī)理可分為過(guò)載和磨損兩大類(lèi)。 過(guò)載導(dǎo)致的故障通常是瞬間的和災(zāi)難性的; 磨損失效是累積性的長(zhǎng)期損壞,通常首先表現(xiàn)為性能下降,然后……
支持制造業(yè)實(shí)現(xiàn)智能化轉(zhuǎn)型 | 基于GD32F303的通用變頻器方案設(shè)計(jì)
  • 更新日期: 2022-03-18
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前 言 我國(guó)在2020年9月明確了2030年碳達(dá)峰和 2060年碳中和的目標(biāo),未來(lái)四十年內(nèi)實(shí)現(xiàn)凈零排放對(duì)中國(guó)而言將是一項(xiàng)具有挑戰(zhàn)性的任務(wù)。對(duì)于電機(jī)行業(yè)來(lái)說(shuō),電機(jī)在工業(yè)領(lǐng)域占有重要位置,據(jù)統(tǒng)計(jì),我國(guó)電機(jī)每年耗電量占全社會(huì)總用電量的69%,約占工業(yè)用電的75%。因此減少電機(jī)生命周期內(nèi)的碳排放,加速推進(jìn)減碳進(jìn)程,是電機(jī)……
助力共享?yè)Q電,基于GD32E230的智能鋰電池BMS解決方案
  • 更新日期: 2022-03-18
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據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì),中國(guó)市場(chǎng)擁有3億輛兩輪三輪電動(dòng)車(chē),2019年我國(guó)電動(dòng)兩輪車(chē)產(chǎn)量為3609萬(wàn)輛,銷(xiāo)量為3464萬(wàn)輛,其中700萬(wàn)外賣(mài)人員和310萬(wàn)快遞人員是電動(dòng)車(chē)的重度使用者。隨著2019年4月15日新國(guó)標(biāo)正式實(shí)施,我國(guó)鋰電兩輪車(chē)銷(xiāo)量達(dá)到680萬(wàn)輛,鋰電池在我國(guó)兩輪電動(dòng)車(chē)滲透率達(dá)到18.8%,預(yù)計(jì)2023年鋰電兩輪車(chē)滲透率將……
SiC MOSFET有趣的IP故事集 — 英飛凌半包,羅姆雙溝槽,住友接地雙掩埋,及 躺贏的GE
  • 更新日期: 2022-03-18
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一個(gè)碳化硅芯片業(yè)余愛(ài)好者的學(xué)習(xí)筆記。文獻(xiàn)整理,業(yè)界新聞,偶有所得,天馬行空。本公眾號(hào)屬于個(gè)人學(xué)習(xí)筆記,僅為個(gè)人業(yè)余興趣愛(ài)好,不涉及任何商業(yè)目的。文中如果有引用不規(guī)范的地方敬請(qǐng)見(jiàn)諒。有人的愛(ài)好是養(yǎng)花養(yǎng)草唱歌釣魚(yú),也有人喜歡寫(xiě)Twiter博客抖音,我最近幾年,喜歡周末偶爾讀點(diǎn)書(shū)刷刷paper,看看前沿方向材料和器件技術(shù)發(fā)展……
7種MOSFET柵極電路的常見(jiàn)作用,不看不知道!
  • 更新日期: 2022-03-18
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概述 MOSFET是一種常見(jiàn)的電壓型控制器件,具有開(kāi)關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動(dòng)功率小、動(dòng)態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點(diǎn),因此被廣泛的應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)控制、電動(dòng)工具等各行各業(yè)。柵極做為MOSFET本身較薄弱的環(huán)節(jié),如果電路設(shè)計(jì)不當(dāng),容易造成器件甚至系統(tǒng)的失效,因此發(fā)這篇文章將……
CIS封裝技術(shù)
  • 更新日期: 2022-03-18
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CIS封裝最初采用的是帶有玻璃蓋板的陶瓷封裝,例如Amkor的VisionPak就是一種陶瓷無(wú)鉛芯片載體。這種方案比較昂貴而且會(huì)占用很大的相機(jī)內(nèi)空間。20世紀(jì)末晶圓級(jí)封裝(Wafer Level Package, WLP)技術(shù)逐步發(fā)展起來(lái),其優(yōu)勢(shì)在于尺寸小、重量輕和成本低,并逐漸引起大家的關(guān)注。2007年3月,日本Toshiba公司首次展出采用硅通孔技術(shù)的WLP的小型圖形傳感器模組,該技術(shù)不僅提供用于模塊集成的完全密閉的器件,使由污染顆粒所導(dǎo)致的CIS成品率損失大大降低,還具有最小尺寸和質(zhì)量、有效降低寄生
TI 第二代雷達(dá)芯片深度剖析
  • 更新日期: 2022-03-18
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車(chē)載雷達(dá)是高級(jí)輔助駕駛(ADAS), 無(wú)人駕駛核心傳感器之一,而車(chē)載雷達(dá)芯片是車(chē)載雷達(dá)的核心,如今高度集成(MMIC + DSP/MCU)的車(chē)規(guī)級(jí)芯片為雷達(dá)小型化,高可靠性與穩(wěn)定性,低成本提供關(guān)鍵途徑,其重要性不言而喻。 近期,TI公司正式上線(xiàn)下一代車(chē)規(guī)級(jí)高性能車(chē)載雷達(dá)芯片,AWR2944,同時(shí)發(fā)布與之配……
功率電子封裝關(guān)鍵材料和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的研究進(jìn)展
  • 更新日期: 2022-03-18
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摘要:傳統(tǒng)功率電子封裝主要以釬料連接和引線(xiàn)鍵合等二維平面封裝技術(shù)為主,無(wú)法滿(mǎn)足第三代半導(dǎo)體器件在高頻、高壓、高溫下的可靠應(yīng)用。為了解決這一問(wèn)題,二維平面封裝逐漸向三維集成封裝發(fā)展。對(duì)功率電子封裝技術(shù)中的關(guān)鍵材料和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的研究進(jìn)展進(jìn)行了總結(jié)和展望。連接材料從錫基釬料逐漸發(fā)展為金基釬料、瞬態(tài)液相連接材料、燒結(jié)銀等高導(dǎo)熱、……
碳化硅與硅相比有何優(yōu)勢(shì)?
  • 更新日期: 2022-03-18
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描述 電力電子朝向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬能隙(WBG)材料發(fā)展,雖然硅仍然占據(jù)市場(chǎng)主流,但SiC與GaN器件很快就會(huì)催生新一代更高效的技術(shù)解決方案。 據(jù)總部位于法國(guó)的市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole Développement估計(jì),到2025年SiC器件市場(chǎng)營(yíng)收將占……

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