一、3D封裝將成為主要工藝 轉(zhuǎn)自：智東西 近日，中國臺灣工業(yè)技術(shù)研究院研究總監(jiān) Yang Rui 預(yù)測，臺積電將在芯片制造業(yè)再占主導(dǎo)地位五年，此后 3D 封裝將成為主要工藝挑戰(zhàn)。 過去十年各種計算工作負載飛速發(fā)展，而摩爾定律卻屢屢被傳將走到盡頭。面對更家多樣化的計算應(yīng)用需求，為了將更多功能 &……

mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開通過程（由截止到導(dǎo)通的過渡過程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導(dǎo)通到截止的過渡過程）、截止狀態(tài)。 Mos主要損耗也對應(yīng)這幾個狀態(tài)，開關(guān)損耗（開通過程和關(guān)斷過程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內(nèi)，mos即會正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗，不同mos這個差距可能很大。 Mos損壞主要原因： 過流----------持續(xù)大電流或瞬間超大電流

電力驅(qū)動系統(tǒng)主要用在逆變器DC-AC中，將充電電池12V的直流電轉(zhuǎn)換成為驅(qū)動電機220V的交流電驅(qū)動電機工作。電機控制系統(tǒng)上需要用到幾十個IGBT，從電池輸出高電壓后，需通過DC-DC變化為低電壓后供汽車低壓網(wǎng)絡(luò)使用，例如特斯拉的三相交流異步電機，每相用28個IGBT累計84個，其他電機12個IGBT，特斯拉總共用到9……

在IEEE SPECTRUM中文版《科技縱覽》2002年5月刊中，已故的萊斯特?F.伊斯曼（Lester F. East-man）和烏梅什?K. 米什拉（Umesh K.Mishra）談到了當時功率半導(dǎo)體界的一項大膽技術(shù)：氮化鎵（GaN）。對于強大耐用的射頻放大器在當時新興的寬帶無線網(wǎng)絡(luò)、雷達以及電網(wǎng)功率切換應(yīng)用中的使……

PLC控制系統(tǒng)的安裝與調(diào)試，涉及到各項工作，并且只能按序進行，一環(huán)緊扣一環(huán)，稍有不慎都將導(dǎo)致調(diào)試失敗，不但延誤工期，甚至?xí)p壞設(shè)備。本文介紹了在現(xiàn)場實踐中總結(jié)出的PLC控制系統(tǒng)的安裝與調(diào)試技術(shù)經(jīng)驗，并對現(xiàn)場經(jīng)常出現(xiàn)的安裝、調(diào)試相關(guān)問題，提出探討意見和解決方案。 系統(tǒng)的安裝與調(diào)試 合理安排系統(tǒng)安裝與調(diào)試程序，是確保高效優(yōu)質(zhì)地完成安裝與調(diào)試任務(wù)的關(guān)鍵。 1、前期技術(shù)準備 系統(tǒng)安裝調(diào)試前的技術(shù)準備工作越充分，安裝與調(diào)試就會越順利。前期技術(shù)準備工作包括下列

隨著汽車電動化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化等發(fā)展，汽車電子迎來結(jié)構(gòu)性變革大機會。在傳統(tǒng)燃料汽車中，汽車電子主要分布于動力傳動系統(tǒng)、車身、安全、娛樂等子系統(tǒng)中。按照功能劃分，汽車半導(dǎo)體可大致分為功率半導(dǎo)體（IGBT和MOSFET等）、MCU、傳感器及其他等元器件。 對于新能源汽車……

經(jīng)常使用的直流電機原理就是電生磁：通電導(dǎo)線會產(chǎn)生磁場。 也就是電磁感應(yīng) 旋轉(zhuǎn)磁場帶動轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)動。 電動機是由定子和轉(zhuǎn)子組成，一個產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)磁場，一個為磁極，電機的轉(zhuǎn)子(軸承)就轉(zhuǎn)起來了。 這便實現(xiàn)了電能->磁能->機械能的轉(zhuǎn)換。 下面這個圖可以更直觀的理解： PWM原理 ……

開關(guān)電源是通過功率管打開時給電感充電，電感儲能；功率管斷開時，電感釋放能量，從而實現(xiàn)電壓變換。 在功率管斷開時，電感釋放能量需要電流回路，續(xù)流元器件的選用不同，就會涉及到不同的整流方式，即同步整流和非同步整流。 那么同步整流和非同步整流到底有什么差別呢？ 一、 區(qū)分同步與非同步 01……

前兩期說了RCD電路，不可避免提到開關(guān)的尖峰。由此我想到了我們最常用的電路，Buck電路。 Buck振蕩波形 Buck電路電感前面的SW波形，想必大家都測量過，總的來說，無非下面兩種： 不論是連續(xù)模式，還是斷續(xù)模式，都會有上升尖峰或者是下降尖峰，無非是大小的問題。 ……

?MOS管即場效應(yīng)管（MOSFET），屬于壓控型，是一種應(yīng)用非常廣泛的功率型開關(guān)元件，在開關(guān)電源、逆變器、直流電機驅(qū)動器等設(shè)備中很常見，是電力電子的核心元件。 ?MOS管有N溝道和P溝道之分，N溝道相當于NPN的三極管；P溝道相當于PNP的三極管。實際設(shè)計及應(yīng)用中，N溝道MOS管占絕大多數(shù)，所以下面以N溝道MOS……

01基爾霍夫定理的內(nèi)容是什么？ 基爾霍夫電流定律：在電路任一節(jié)點，流入、流出該節(jié)點電流的代數(shù)和為零。 基爾霍夫電壓定律：在電路中的任一閉合電路，電壓的代數(shù)和為零。 0 2 戴維南定理 一個含獨立源、線性電阻和受控源的二端電路 ，對其兩個端子來說都可等效為一個理想電壓源串聯(lián)內(nèi)阻的……

作者: Gregg H. Jessen 在IEEE SPECTRUM中文版《科技縱覽》2002年5月刊中， 已故的萊斯特?F.伊斯曼（Lester F. East-man）和烏梅什?K. 米什拉（Umesh K.Mishra）談到了當時功率半導(dǎo)體界的一項大膽技術(shù)：氮化鎵（GaN）。對于強大耐用的射頻放大器……