一、增強(qiáng)型MOS管結(jié)構(gòu) 1.增強(qiáng)型MOS管結(jié)構(gòu) ①以低摻雜的P型硅片為襯底。 ②利用擴(kuò)散工藝制作成兩個高摻雜的N+區(qū)，并引出兩個電極，分別為源極s和漏極d。 ③在半導(dǎo)體上制作一層SiO2絕緣層，在SiO2上制作一層金屬鋁，引出電極，作為柵極g。 ④通常將柵極與襯底連接在一起，這樣襯底與柵極……

在汽車電子向智能化，信息化和網(wǎng)絡(luò)化發(fā)展的今天，汽車芯片迎來了一個全新的發(fā)展契機(jī)，車用芯片AEC-Q驗(yàn)證中經(jīng)常會碰到什么問題？金鑒實(shí)驗(yàn)室在下面的問題上給大家一個答案。

SoC，系統(tǒng)級芯片，汽車系統(tǒng)級SoC主要面向兩個領(lǐng)域，一是駕駛艙，二是智能駕駛，兩者的界限現(xiàn)在越來越模糊。隨著汽車電子架構(gòu)的演進(jìn)，新出現(xiàn)了網(wǎng)關(guān)SoC，典型的代表是NXP的S32G274A。通常網(wǎng)關(guān)SoC不需要太強(qiáng)算力，不過S32G274A有4個Cortex-A53內(nèi)核，達(dá)到低端座艙的水準(zhǔn)。 英偉達(dá)Orin的內(nèi)部框架圖 Orin是一個典型的智能駕駛SoC

近兩年，隨著新能源汽車保有量的增加，新能源汽車自燃的案例也逐漸頻繁。而新能源汽車由于是這兩年備受關(guān)注的焦點(diǎn)，發(fā)生自燃也是“自帶光環(huán)”。 據(jù)國家應(yīng)急管理部消防救援局的數(shù)據(jù)顯示，2022年第一季度，國內(nèi)接報的新能源汽車火災(zāi)共計有640起，同比上升32%，平均算下來，國內(nèi)每天就發(fā)生超過7起新能源汽車起火事件。 ……

晶圓經(jīng)過前道工序后芯片制備完成，還需要經(jīng)過切割使晶圓上的芯片分離下來，最后進(jìn)行封裝。不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝也不同： 厚度100um以上的晶圓一般使用刀片切割； 厚度不到100um的晶圓一般使用激光……

減薄晶片有四種主要方法，（1）機(jī)械研磨，（2）化學(xué)機(jī)械平面化，（3）濕法蝕刻和（4）等離子體干法化學(xué)蝕刻（ADP DCE）。四種晶片減薄技術(shù)由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學(xué)漿液結(jié)合起來與晶片反應(yīng)并使之變薄，而蝕刻則使用化學(xué)物質(zhì)來使基板變薄。 打磨 機(jī)械研磨 機(jī)械（常規(guī)）磨削–該工……

IGBT芯片與芯片的電極端子間，IGBT芯片電極端子與二極管芯片間，芯片電極端子與絕緣襯板間一般通過引線鍵合技術(shù)進(jìn)行電氣連接。通過鍵合線使芯片間構(gòu)成互連，形成回路。引線鍵合是IGBT功率器件內(nèi)部實(shí)現(xiàn)電氣互連的主要方式之一。隨著制造工藝的快速發(fā)展，許多金屬鍵合線被廣泛的應(yīng)用到IGBT功率模塊互連技術(shù)中。目前，常用的鍵合線有鋁線、金線、、銀線、銅線、鋁帶、銅片和鋁包銅線等。表1是引線鍵合技術(shù)中常用材料的性能。 表1 引線鍵合工藝中常用鍵合線的材料屬性 1.鋁線鍵合 鋁線鍵合是

摘 要 ……

描述 被動元器件又稱為無源器件，是指不影響信號基本特征，僅令訊號通過而未加以更改的電路元件。最常見的有電阻、電容、電感、陶振、晶振、變壓器等。被動元件，區(qū)別于主動元件。而國內(nèi)此前則稱無源器件和有源器件。被動元件內(nèi)無需電源驅(qū)動且自身不耗電，僅通過輸入信號即可作出放大，震蕩和計算的反應(yīng)，而不需……

高壓上下電管理 高壓上電管理：BMS進(jìn)行自檢狀態(tài)，通過檢測后等待VCU上電指令，在接收到VCU上高壓電指令后，BMS控制閉合主負(fù)、預(yù)充繼電器進(jìn)行預(yù)充，當(dāng)檢測到MCU輸入電壓大于母線端電壓的95%，預(yù)充完成，閉合主正繼電器，延遲一段時間后，斷開預(yù)充繼電器，高壓上電完成，進(jìn)入BMS工作模式。KL15為OFF狀態(tài)，或者……

摘要 與傳統(tǒng)單面散熱 IGBT 模塊不同，雙面散熱汽車 IGBT 模塊同時向正、反兩面?zhèn)鲗?dǎo)熱量，其熱測試評估方式需重新考量。本文進(jìn)行雙面散熱汽車 IGBT 模塊熱測試工裝開發(fā)與熱界面材料選型，同時對比研究模塊壓裝方式，開發(fā)出一種適用于雙面散熱汽車 IGBT 模塊的雙界面散熱結(jié)構(gòu)熱測試方法，可實(shí)現(xiàn)單面熱阻測……

MOS管是金屬（metal）氧化物（oxide）半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬絕緣體（insulator）半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。 MOS管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管