CFP（C form-factor pluggable）封裝最早由CFP MSA協(xié)會(huì)發(fā)布，用于支持早期的100G光模塊（”C”在拉丁字母中代表100）。CFP模塊尺寸較大，可以提供和主機(jī)間10*10G或者4*25G的電接口連接，支持最大功耗24W。后來(lái)隨著芯片技術(shù)的發(fā)展，又推出了更小封裝尺寸和更高性能的CFP2（12W）和CFP4（6W）以及CFP8（24W）標(biāo)準(zhǔn)。CFP8封裝于2017年推出，是為了支持早期的400G光模塊，其可以支持16路25G的NRZ信號(hào)以實(shí)現(xiàn)400G傳輸，但逐漸被更小的OSFP和Q

今年以來(lái)，各省市漸次下發(fā)的光伏指標(biāo)規(guī)模已達(dá)近百GW，市場(chǎng)放量的同時(shí)也加速了逆變器企業(yè)新一輪競(jìng)爭(zhēng)的到來(lái)。 根據(jù)最新資料統(tǒng)計(jì)，華電、大唐、國(guó)家電投等央國(guó)企先后啟動(dòng)了超80GW的逆變器招標(biāo)，已公布中標(biāo)結(jié)果的企業(yè)報(bào)價(jià)只差毫厘。對(duì)于漸漸走出“價(jià)格戰(zhàn)”泥潭的逆變器企業(yè)，新一輪競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)又在哪里？ ……

隨著摩爾定律推進(jìn)并達(dá)到物理極限，基于新原理、新材料和新結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件引發(fā)集成電路工藝變革，后摩爾時(shí)代已然到來(lái)。后摩爾時(shí)代，芯片技術(shù)發(fā)展的基本點(diǎn)：一是發(fā)展不依賴于特征尺寸不斷微縮的特色工藝，以此擴(kuò)展集成電路芯片功能。二是將不同功能的芯片和元器件組裝在一起封裝，實(shí)現(xiàn)異構(gòu)集成。三是通過(guò)新途徑來(lái)滿足人工智能算法和算力提升。我……

在2022 RISC-V中國(guó)峰會(huì)上，阿里平頭哥發(fā)布首個(gè)高性能RISC-V芯片平臺(tái)“無(wú)劍600”及SoC原型“曳影1520”。中科院院士、計(jì)算機(jī)專家倪光南表示，RISC-V將發(fā)展為世界主流CPU架構(gòu)之一，是我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)掌握主動(dòng)權(quán)的重要機(jī)遇。 近年來(lái)，RISC-……

從2010年夏天開(kāi)始，伯克利研究團(tuán)隊(duì)大約花了四年的時(shí)間，設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)了一套完整的新的指令集。這個(gè)新的指令集叫做RISC-V，指令集從2014年正式發(fā)布之初就受到多方質(zhì)疑，到2017年印度政府表示將大力資助基于RISC-V的處理器項(xiàng)目，使RISC-V成為了印度的事實(shí)國(guó)家指令集。再到今年國(guó)內(nèi)從國(guó)家政策層面對(duì)于RISC-V進(jìn)行……

EDA軟件四大金剛 芯片進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)之前，需要進(jìn)行“試生產(chǎn)”，也就是流片，對(duì)完成的設(shè)計(jì)電路先生產(chǎn)幾片、幾十片。流片是一個(gè)極其昂貴的過(guò)程。 在14納米制程的時(shí)代，流片一次的費(fèi)用大約需要300萬(wàn)美元。而到了7納米，流片費(fèi)用則要高達(dá)3000萬(wàn)美元。為了防止冒失的浪費(fèi)，需要通過(guò)電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）軟件上進(jìn)行仿真測(cè)試。即使所有設(shè)計(jì)工具的成本都加起來(lái)，也抵不上一次流片的費(fèi)用

無(wú)刷電機(jī)是指無(wú)電刷和機(jī)械換向器的電機(jī)。 我們知道，一般的有刷電機(jī)的定子是永磁體，轉(zhuǎn)子是電磁鐵。轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，通過(guò)電刷來(lái)自動(dòng)切換轉(zhuǎn)子電磁鐵的中的電流方向，使得轉(zhuǎn)子始終受到轉(zhuǎn)動(dòng)力矩的作用，得以旋轉(zhuǎn)起來(lái)。 而無(wú)刷電機(jī)，轉(zhuǎn)子是永磁體，定子是電磁鐵，使用電子換向器器來(lái)切換電磁鐵中的電流方法。由于它沒(méi)有機(jī)械式的電刷，所以……

片本土制造、成熟芯片生產(chǎn)以及半導(dǎo)體研發(fā)；韓國(guó)加強(qiáng)合作，將建立“K-半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶”，旨在建立集半導(dǎo)體生產(chǎn)、原材料、零部件、設(shè)備和尖端設(shè)備、設(shè)計(jì)等為一體的高效產(chǎn)業(yè)集群；中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)提供行業(yè)指導(dǎo)，通過(guò)評(píng)估整體半導(dǎo)體研發(fā)及其對(duì)產(chǎn)業(yè)需求的覆蓋面來(lái)支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展，避免投資平均化或關(guān)鍵領(lǐng)域經(jīng)費(fèi)投入不足等現(xiàn)象。與此同時(shí)，2021年以來(lái)，……

電源按照轉(zhuǎn)換原理分類，可分為線性電源和開(kāi)關(guān)電源。我們對(duì)電源進(jìn)行線性電源和開(kāi)關(guān)電源分類的時(shí)候，其實(shí)要明確是AC/DC還是DC/DC。雖然這個(gè)分類是為了區(qū)分轉(zhuǎn)化的原理。但是實(shí)現(xiàn)AC/DC功能的線性電源和開(kāi)關(guān)電源，都是完整的交流轉(zhuǎn)化為直流的過(guò)程嗎，其中有些電路的一部分就是由DC/DC組成的。 AC/DC的線性電源與開(kāi)關(guān)……

氮化鎵材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，它具有能量帶隙寬、原子鍵強(qiáng)、熱導(dǎo)率高、化學(xué)穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）和抗輻照能力強(qiáng)等性質(zhì)，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景，被奉為半導(dǎo)體界有巨大突破和創(chuàng)新的第三代半導(dǎo)體之一，那么到底什么是氮化鎵呢？我們今天就揭開(kāi)氮化鎵的神秘面紗，請(qǐng)……

今天，托尼要跟大家介紹一款非常非常非常重磅的產(chǎn)品！ 我們旗下 Tegic 自己推出的產(chǎn)品——Tegic Quickbee 快嗶桌面充電站！ 老差友們都知道，Tegic 是我們差評(píng)旗下自己成立的一家消費(fèi)電子公司，大巖蛇數(shù)據(jù)線、內(nèi)核K30充電頭、冰格充電寶都是Tegic的標(biāo)志作品。。。 ……

MOSFET基本概述 MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+FET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管)這個(gè)兩個(gè)縮寫(xiě)組成。即通過(guò)給金屬層(M-金屬鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓，產(chǎn)生