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技術(shù)交流

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光模塊的CFP和OSFP封裝
  • 更新日期: 2022-11-14
  • 瀏覽次數(shù): 6632
CFP(C form-factor pluggable)封裝最早由CFP MSA協(xié)會(huì)發(fā)布,用于支持早期的100G光模塊(”C”在拉丁字母中代表100)。CFP模塊尺寸較大,可以提供和主機(jī)間10*10G或者4*25G的電接口連接,支持最大功耗24W。后來(lái)隨著芯片技術(shù)的發(fā)展,又推出了更小封裝尺寸和更高性能的CFP2(12W)和CFP4(6W)以及CFP8(24W)標(biāo)準(zhǔn)。CFP8封裝于2017年推出,是為了支持早期的400G光模塊,其可以支持16路25G的NRZ信號(hào)以實(shí)現(xiàn)400G傳輸,但逐漸被更小的OSFP和Q
對(duì)話陽(yáng)光電源副總裁李順:逆變技術(shù)“下半場(chǎng)”路走何方?
  • 更新日期: 2022-11-12
  • 瀏覽次數(shù): 1797
今年以來(lái),各省市漸次下發(fā)的光伏指標(biāo)規(guī)模已達(dá)近百GW,市場(chǎng)放量的同時(shí)也加速了逆變器企業(yè)新一輪競(jìng)爭(zhēng)的到來(lái)。 根據(jù)最新資料統(tǒng)計(jì),華電、大唐、國(guó)家電投等央國(guó)企先后啟動(dòng)了超80GW的逆變器招標(biāo),已公布中標(biāo)結(jié)果的企業(yè)報(bào)價(jià)只差毫厘。對(duì)于漸漸走出“價(jià)格戰(zhàn)”泥潭的逆變器企業(yè),新一輪競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)又在哪里? ……
提高芯片性能的三個(gè)途徑,工程師關(guān)注后摩爾時(shí)代
  • 更新日期: 2022-11-10
  • 瀏覽次數(shù): 3067
隨著摩爾定律推進(jìn)并達(dá)到物理極限,基于新原理、新材料和新結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件引發(fā)集成電路工藝變革,后摩爾時(shí)代已然到來(lái)。后摩爾時(shí)代,芯片技術(shù)發(fā)展的基本點(diǎn):一是發(fā)展不依賴于特征尺寸不斷微縮的特色工藝,以此擴(kuò)展集成電路芯片功能。二是將不同功能的芯片和元器件組裝在一起封裝,實(shí)現(xiàn)異構(gòu)集成。三是通過(guò)新途徑來(lái)滿足人工智能算法和算力提升。我……
倪光南院士:RISC-V是“中國(guó)芯”掌握主動(dòng)權(quán)的重要機(jī)遇
  • 更新日期: 2022-11-09
  • 瀏覽次數(shù): 1931
在2022 RISC-V中國(guó)峰會(huì)上,阿里平頭哥發(fā)布首個(gè)高性能RISC-V芯片平臺(tái)“無(wú)劍600”及SoC原型“曳影1520”。中科院院士、計(jì)算機(jī)專家倪光南表示,RISC-V將發(fā)展為世界主流CPU架構(gòu)之一,是我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)掌握主動(dòng)權(quán)的重要機(jī)遇。 近年來(lái),RISC-……
ARM與RISC-V之爭(zhēng)
  • 更新日期: 2022-11-09
  • 瀏覽次數(shù): 1924
從2010年夏天開(kāi)始,伯克利研究團(tuán)隊(duì)大約花了四年的時(shí)間,設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)了一套完整的新的指令集。這個(gè)新的指令集叫做RISC-V,指令集從2014年正式發(fā)布之初就受到多方質(zhì)疑,到2017年印度政府表示將大力資助基于RISC-V的處理器項(xiàng)目,使RISC-V成為了印度的事實(shí)國(guó)家指令集。再到今年國(guó)內(nèi)從國(guó)家政策層面對(duì)于RISC-V進(jìn)行……
超越摩爾的EDA軟件四大金剛
  • 更新日期: 2022-11-09
  • 瀏覽次數(shù): 1701
EDA軟件四大金剛 芯片進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)之前,需要進(jìn)行“試生產(chǎn)”,也就是流片,對(duì)完成的設(shè)計(jì)電路先生產(chǎn)幾片、幾十片。流片是一個(gè)極其昂貴的過(guò)程。 在14納米制程的時(shí)代,流片一次的費(fèi)用大約需要300萬(wàn)美元。而到了7納米,流片費(fèi)用則要高達(dá)3000萬(wàn)美元。為了防止冒失的浪費(fèi),需要通過(guò)電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)軟件上進(jìn)行仿真測(cè)試。即使所有設(shè)計(jì)工具的成本都加起來(lái),也抵不上一次流片的費(fèi)用
無(wú)刷電機(jī)控制基礎(chǔ)(1)——結(jié)構(gòu)和驅(qū)動(dòng)電路
  • 更新日期: 2022-11-09
  • 瀏覽次數(shù): 2628
無(wú)刷電機(jī)是指無(wú)電刷和機(jī)械換向器的電機(jī)。 我們知道,一般的有刷電機(jī)的定子是永磁體,轉(zhuǎn)子是電磁鐵。轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí),通過(guò)電刷來(lái)自動(dòng)切換轉(zhuǎn)子電磁鐵的中的電流方向,使得轉(zhuǎn)子始終受到轉(zhuǎn)動(dòng)力矩的作用,得以旋轉(zhuǎn)起來(lái)。 而無(wú)刷電機(jī),轉(zhuǎn)子是永磁體,定子是電磁鐵,使用電子換向器器來(lái)切換電磁鐵中的電流方法。由于它沒(méi)有機(jī)械式的電刷,所以……
美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)呼吁投資半導(dǎo)體研發(fā)的5個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域
  • 更新日期: 2022-11-09
  • 瀏覽次數(shù): 1660
片本土制造、成熟芯片生產(chǎn)以及半導(dǎo)體研發(fā);韓國(guó)加強(qiáng)合作,將建立“K-半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶”,旨在建立集半導(dǎo)體生產(chǎn)、原材料、零部件、設(shè)備和尖端設(shè)備、設(shè)計(jì)等為一體的高效產(chǎn)業(yè)集群;中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)提供行業(yè)指導(dǎo),通過(guò)評(píng)估整體半導(dǎo)體研發(fā)及其對(duì)產(chǎn)業(yè)需求的覆蓋面來(lái)支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展,避免投資平均化或關(guān)鍵領(lǐng)域經(jīng)費(fèi)投入不足等現(xiàn)象。與此同時(shí),2021年以來(lái),……
面試經(jīng)常問(wèn)的問(wèn)題:線性電源VS開(kāi)關(guān)電源
  • 更新日期: 2022-11-07
  • 瀏覽次數(shù): 2669
電源按照轉(zhuǎn)換原理分類,可分為線性電源和開(kāi)關(guān)電源。我們對(duì)電源進(jìn)行線性電源和開(kāi)關(guān)電源分類的時(shí)候,其實(shí)要明確是AC/DC還是DC/DC。雖然這個(gè)分類是為了區(qū)分轉(zhuǎn)化的原理。但是實(shí)現(xiàn)AC/DC功能的線性電源和開(kāi)關(guān)電源,都是完整的交流轉(zhuǎn)化為直流的過(guò)程嗎,其中有些電路的一部分就是由DC/DC組成的。 AC/DC的線性電源與開(kāi)關(guān)……
GaNext深度解析氮化鎵系列一「 何為氮化鎵?」
  • 更新日期: 2022-11-04
  • 瀏覽次數(shù): 3573
氮化鎵材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn),它具有能量帶隙寬、原子鍵強(qiáng)、熱導(dǎo)率高、化學(xué)穩(wěn)定性好(幾乎不被任何酸腐蝕)和抗輻照能力強(qiáng)等性質(zhì),在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景,被奉為半導(dǎo)體界有巨大突破和創(chuàng)新的第三代半導(dǎo)體之一,那么到底什么是氮化鎵呢?我們今天就揭開(kāi)氮化鎵的神秘面紗,請(qǐng)……
極客的桌面充電站!超級(jí)電容是個(gè)什么酷東西?
  • 更新日期: 2022-11-03
  • 瀏覽次數(shù): 2522
今天,托尼要跟大家介紹一款非常非常非常重磅的產(chǎn)品! 我們旗下 Tegic 自己推出的產(chǎn)品——Tegic Quickbee 快嗶桌面充電站! 老差友們都知道,Tegic 是我們差評(píng)旗下自己成立的一家消費(fèi)電子公司,大巖蛇數(shù)據(jù)線、內(nèi)核K30充電頭、冰格充電寶都是Tegic的標(biāo)志作品。。。 ……
MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理詳解
  • 更新日期: 2022-11-03
  • 瀏覽次數(shù): 3218
MOSFET基本概述 MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+FET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管)這個(gè)兩個(gè)縮寫(xiě)組成。即通過(guò)給金屬層(M-金屬鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓,產(chǎn)生

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