據行業(yè)媒體報道，自疫情爆發(fā)以來，絕緣閘極雙極性晶體管（IGBT）供不應求，隨著車用、太陽能光伏、工控等所需用量大增，而產能擴增緩慢，認證需時間，考量長期客戶關系，以及訂單規(guī)模下，加上Tesla釋出大砍碳化硅（SiC）用量75%消息，讓可能成為替代方案之一的IGBT，缺貨問題至少在2024年中前難以解決。

為何工規(guī)、車規(guī)IGBT至今仍會缺貨、漲價，且估計一路缺到2024年中后，晶圓代工業(yè)者表示，主要原因就是2大領域采用IGBT的使用量、比重顯著飆升，IDM廠自身擴產緩慢，如英飛凌（Infineon）、安森美（Onsemi）至今仍無法應付快速增長的需求。其中，安森美早在2022年中就釋出車用IGBT訂單滿手，暫無法再接單滿2023年產能已全部售罄的消息，而英飛凌投資50億歐元在德國德勒斯登新建的12吋新廠，則至2026年才會正式量產，進度相當緩慢。

IGBT是第三代功率半導體技術革命的代表性產品，具有高頻、高電壓、大電流，易于開關等優(yōu)良性能，被業(yè)界譽為電力電子裝置的“CPU”，廣泛應用于工業(yè)控制、軌道交通、白色家電、新能源發(fā)電、新能源汽車等領域。根據應用場景的電壓不同，IGBT有超低壓、低壓、中壓和高壓等類型，其中新能源汽車、工業(yè)控制、家用電器等使用的IGBT以中壓為主，而軌道交通、新能源發(fā)電和智能電網等對電壓要求較高，主要使用高壓IGBT。

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特征。簡單講，是一個非通即斷的開關，IGBT沒有放大電壓的功能，導通時可以看做導線，斷開時當做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點，如驅動功率小和飽和壓降低等。

從公司來看，國外研發(fā)IGBT器件的公司主要有英飛凌、 ABB、三菱、西門康、東芝、富士等。中國功率半導體市場占世界市場的50%以上，但在中高端MOSFET及IGBT主流器件市場上，90％主要依賴進口，基本被國外歐美、日本企業(yè)壟斷。

一方面，我國是全球[敏感詞]的IGBT需求市場，產業(yè)具有較大的發(fā)展前景，但我國IGBT自給率不足20%，本土替代仍有較大的提升空間；另一方面，本土IGBT產品性能已經逐漸成熟，且部分產品性能可對標海外IGBT大廠產品，加速國產化IGBT產品市場滲透，逐步切入高端市場。國內一眾廠商如揚杰科技、斯達半導、士蘭微、新潔能、紫光國微等也在加快擴產和研發(fā)步伐。

據富昌電子2023年2月17日發(fā)布的《2023 Q1芯片市場行情報告》數據顯示，ST（意法半導體）、Microsemi（美高森美）、Infineon（英飛凌）、IXYS（艾賽斯）、Fairchild（仙童半導體）這5大品牌的IGBT Q1與2022年Q4的交期基本維持一致，交期依舊緊張，最長為54周。

根據SEMI的12吋晶圓廠展望報告，2022年至2026年，模擬和功率半導體的產能將以30%復合年增長率居首位，其次為增長率12%的晶圓代工、光電的6%和存儲器的4%。功率半導體在消費電子疲軟的情況下，有望成為較為穩(wěn)定的一個增長點，持續(xù)地為特色工藝產線帶來業(yè)務。

與此同時，以碳化硅為代表的第三代半導體在功率器件方面的應用，性能的優(yōu)越表現始終備受矚目。但與硅基器件相比還不成熟的制作工藝，相對較高的成本，始終讓碳化硅的市場無法完全打開。第三代半導體所需要的工藝產線流程驗證周期長，例如碳化硅長晶速度較慢且難以控制，切割等也面臨質料較脆等問題，新材料進入產線需要生產設備與工藝的不斷迭代，最終才有可能降低成本。

據與非網報道，安森美中國區(qū)汽車碳化硅現場應用工程師牛嘉浩總結，新技術的發(fā)展并不意味著原有技術的消亡，這是一個迭代的過程。雖然碳化硅崛起迅速，在一些應用中替代硅基器件是主流趨勢，但是硅基功率器件目前仍然占據大部分的市場，并且有著自身的優(yōu)勢，短時間內并不會退出舞臺。總之，從安森美及英飛凌對于IGBT和碳化硅的態(tài)度來看，硅基IGBT本身的存量市場還很大，而碳化硅器件也尚處于偏早期的發(fā)展階段，不論是起步還是加速出貨，兩者的市場總量還有一定差距，且兩者并非零和博弈，甚至有不少新的應用領域，需要兩者共同發(fā)揮，在交叉互補中前行。

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