最近，韓國多家半導體廠商啟動了化合物功率半導體技術(shù)發(fā)展計劃，三星、SK Siltron及DB HiTek等多家企業(yè)正積極參與其中，重點發(fā)展GaN技術(shù)，打造韓國化合物功率半導體生態(tài)系統(tǒng)。

6月28日，據(jù)多家韓媒報道，三星電子、SK Siltron、韓國東部高科（DB HiTek）以及無晶圓廠ABOV Semiconductor共同簽署了半導體業(yè)務(wù)協(xié)議（MOU），共同致力于“化合物功率半導體先進技術(shù)開發(fā)項目”。

據(jù)介紹，韓國政府將從今年到2028 年，計劃提供1385 億韓元（約7.2億人民幣）的資金支持以推進該項目，其中包括 939 億韓元的政府資金和 446 億韓元的私人投資；技術(shù)支持方面，韓國產(chǎn)業(yè)技術(shù)規(guī)劃和評估研究院（KITIE）將為參與機構(gòu)提供研發(fā)支持。

“行家說三代半”了解到，該項目將首先聚焦GaN功率半導體的研發(fā)，三星電子、SK Siltron及DB HiTek均公開表示，要把GaN業(yè)務(wù)實現(xiàn)商業(yè)化：

● 去年6月，三星電子代工部門總裁崔時英在三星代工論壇上宣布，他們將從2025年開始建設(shè)8英寸氮化鎵化合物功率半導體代工廠；在參與該項目后，三星電子再次重申了這一戰(zhàn)略目標，目標是基于其深厚的LED開發(fā)經(jīng)驗來攻克氮化鎵功率半導體。

● SK Siltron也開始通過其子公司SK KeyFoundry（啟方半導體）開發(fā)和量產(chǎn)GaN半導體。約半個月前，SK KeyFoundry宣布已獲得8英寸650V 氮化鎵 HEMT 的器件特性，并計劃在今年內(nèi)完成開發(fā)。

● 今年5月，DB HiTek宣布將在今年第三季度引進氮化鎵器件生產(chǎn)所需的相關(guān)設(shè)備，并在今年年底前完成量產(chǎn)準備，預(yù)計該GaN代工廠將從明年年初開始運營。

早在2023年Q3，上述企業(yè)就已和愛思強達成設(shè)備采購合作，紛紛采購愛思強的金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）設(shè)備，目標是在2025年至2026年將8英寸GaN代工服務(wù)商業(yè)化。下一步，他們還將擴大功率半導體陣容，未來將進軍SiC芯片制造服務(wù)市場。

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