GaN 半導(dǎo)體具有高二維電子氣濃度、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高的電子飽和速度等特點(diǎn),在微波大功率器件應(yīng)用領(lǐng)域有較第一、二代半導(dǎo)體材料顯著的性能優(yōu)勢(shì),其輸出功率密度可以幾倍甚至十幾倍于 GaAs 微波功率 FET,滿(mǎn)足新一代電子產(chǎn)品對(duì)更大功率、更高頻率、更小體積微波功率器件的要求,被廣泛應(yīng)用于雷達(dá)系統(tǒng)、通信系統(tǒng)等軍民領(lǐng)域。