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技術(shù)交流

Technology Exchange
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淺析光刻技術(shù)演變
  • 更新日期: 2022-07-27
  • 瀏覽次數(shù): 9810
以ASML的光刻機(jī)為例,其主要由光源模組(Source)、光罩模組(Reticle)、聚光鏡(Optics)和晶圓模組(Wafer)四大模組組成。 圖1:ASML High NA光刻機(jī) 紫外光從光源模組(Source)生成之后,被導(dǎo)入到照明模組(illumination module……
PCB芯片散熱焊盤(pán)如何設(shè)計(jì)?
  • 更新日期: 2022-07-25
  • 瀏覽次數(shù): 3242
01前言 工作中的電路板有許多發(fā)熱比較大的元器件,比如MOS管、LED、三極管,尤其在滿(mǎn)載的情況下更為嚴(yán)重,散熱通孔是眾所周知的一種通過(guò)電路板表面貼裝元件的散熱方法。 在結(jié)構(gòu)上,板上開(kāi)有一個(gè)通孔,如果該板是單層雙面板,則使銅箔連……
如何輕松區(qū)別隔離電源和非隔離電源的區(qū)別
  • 更新日期: 2022-07-22
  • 瀏覽次數(shù): 4333
在產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí),倘若沒(méi)有考慮應(yīng)用環(huán)境對(duì)電源隔離的要求,產(chǎn)品到了應(yīng)用時(shí)就會(huì)出現(xiàn)因設(shè)計(jì)方案的不當(dāng)導(dǎo)致的系統(tǒng)不穩(wěn)定,甚至出現(xiàn)高壓損壞后級(jí)負(fù)載的情況,以及出現(xiàn)危害人身財(cái)產(chǎn)安全的情況。因此產(chǎn)品設(shè)計(jì)是否需要隔離至關(guān)重要。 ……
充電樁CP通信工程完整性模塊
  • 更新日期: 2022-07-20
  • 瀏覽次數(shù): 3982
2022-06-21 深圳 南山 , 業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的工程類(lèi)工業(yè)總線(xiàn)及電源完整性解決方案供應(yīng)商大印藍(lán)海發(fā)布新能源汽車(chē)充電樁CP通信濾波降噪模塊 伴隨我國(guó)新能源汽車(chē)?yán)谜哧懤m(xù)出臺(tái),城市交通系統(tǒng)紛紛推出新能源公交車(chē),加上工廠(chǎng)、倉(cāng)庫(kù)也逐步應(yīng)用新能源 AGV,充電樁的需求量日增月益。預(yù)計(jì) 2022年,我國(guó)將擁有分布式……
首款國(guó)產(chǎn)LSM電磁彈射-游樂(lè)過(guò)山車(chē)
  • 更新日期: 2022-07-20
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廣州鈞明歡樂(lè)世界對(duì)外營(yíng)業(yè),由位于中山市的廣東金馬游樂(lè)股份有限公司(下稱(chēng)“金馬游樂(lè)”)自主研發(fā)的、國(guó)產(chǎn)首臺(tái)運(yùn)用LSM電磁彈射技術(shù)的彈射式過(guò)山車(chē)“炫酷飛馳”在此正式亮相。這是國(guó)產(chǎn)第一臺(tái)運(yùn)用LSM電磁彈射技術(shù)的彈射式過(guò)山車(chē)。這也意味著金馬游樂(lè)成為全球第三家擁有相關(guān)核心技術(shù)的游樂(lè)企業(yè),此舉打破了游樂(lè)行業(yè)運(yùn)用LSM電磁彈射技術(shù)的……
新型寬禁帶半導(dǎo)體-氧化鎵
  • 更新日期: 2022-07-05
  • 瀏覽次數(shù): 4567
技術(shù)日新月異, 第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)及制造工藝發(fā)展還沒(méi)有多少年,源起于日本的氧化鎵被譽(yù)為第四代半導(dǎo)體技術(shù)已開(kāi)始國(guó)內(nèi)市場(chǎng)發(fā)育. 與SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件,因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源于日本信息通信研究機(jī)構(gòu)等的研究小組開(kāi)發(fā)出的β-Ga……
關(guān)于技術(shù)研究進(jìn)展之GaN功率器件芯片級(jí)熱管理
  • 更新日期: 2022-07-05
  • 瀏覽次數(shù): 5493
GaN 半導(dǎo)體具有高二維電子氣濃度、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高的電子飽和速度等特點(diǎn),在微波大功率器件應(yīng)用領(lǐng)域有較第一、二代半導(dǎo)體材料顯著的性能優(yōu)勢(shì),其輸出功率密度可以幾倍甚至十幾倍于 GaAs 微波功率 FET,滿(mǎn)足新一代電子產(chǎn)品對(duì)更大功率、更高頻率、更小體積微波功率器件的要求,被廣泛應(yīng)用于雷達(dá)系統(tǒng)、通信系統(tǒng)等軍民領(lǐng)域。
非常詳細(xì)的阻抗測(cè)試基礎(chǔ)知識(shí)
  • 更新日期: 2022-06-29
  • 瀏覽次數(shù): 20733
一、阻抗測(cè)試基本概念 阻抗定義: 阻抗是元器件或電路對(duì)周期的交流信號(hào)的總的反作用。 AC 交流測(cè)試信號(hào) (幅度和頻率)。 ……
柵級(jí)驅(qū)動(dòng)及工業(yè)汽車(chē)MCU
  • 更新日期: 2022-06-28
  • 瀏覽次數(shù): 4515
概述閘級(jí)功率放大器(Gate Driver),也稱(chēng)柵(閘)級(jí)驅(qū)動(dòng)器,可以讓控制集成電路產(chǎn)生的小功率訊號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)功率晶體(例如IGBT或是功率級(jí)MOSFET)的閘極。柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器可能是附在功率晶體上甚至集成進(jìn)MCU內(nèi)部,也有可能是獨(dú)立的元件。柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器會(huì)包括位準(zhǔn)轉(zhuǎn)換器以及放大器電路。 目的 MOSFET和……
國(guó)產(chǎn)無(wú)線(xiàn)充電芯片的技術(shù)和應(yīng)用分析
  • 更新日期: 2022-06-24
  • 瀏覽次數(shù): 2107
自從100年前物理學(xué)家尼古拉·特斯拉提出無(wú)線(xiàn)電力傳輸?shù)臉?gòu)想,“無(wú)線(xiàn)充電”技術(shù)已經(jīng)取得了極大的進(jìn)步,但在商業(yè)化應(yīng)用方面一直進(jìn)展緩慢。直到最近幾年手機(jī)無(wú)線(xiàn)充電流行起來(lái),“無(wú)線(xiàn)充電”這一技術(shù)才為大眾所熟知,在幫助手機(jī)用戶(hù)擺脫線(xiàn)纜糾纏的同時(shí),開(kāi)始滲透到更多應(yīng)用領(lǐng)域,小至TWS耳機(jī)和微型IoT傳感器,大至廚房電器和電動(dòng)汽車(chē)。 ……
DC/DC的電感下方到底是否鋪銅
  • 更新日期: 2022-06-24
  • 瀏覽次數(shù): 3314
電感有交變電流,電感底部鋪銅會(huì)在地平面上產(chǎn)生渦流,渦流效應(yīng)會(huì)影響功率電感的電感量,渦流也會(huì)增加系統(tǒng)的損耗,同時(shí)交變電流產(chǎn)生的噪聲會(huì)增加地平面的噪聲,會(huì)影響其他信號(hào)的穩(wěn)定性。 在EMC方面來(lái)看,在電感底部鋪銅,完整的地平面鋪銅有利于EMI的設(shè)計(jì);現(xiàn)在的電感的生……
MOS管發(fā)燙的原因
  • 更新日期: 2022-06-24
  • 瀏覽次數(shù): 4738
MOS管發(fā)燙的原因,最近我有用到一個(gè)MOS管,MOS管的型號(hào)是2N7002,市面上很常見(jiàn)的MOS管,這個(gè)MOS管是一個(gè)電路的組合,是個(gè)自己設(shè)計(jì)的電路,用來(lái)驅(qū)動(dòng)背光電路的,具體的電路圖我就不截出來(lái)了,我只能說(shuō)造成我MOS管發(fā)燙的原因的話(huà)是我柵極驅(qū)動(dòng)波形上升沿速度緩慢,因?yàn)槲业碾娐沸枰l繁的導(dǎo)通和關(guān)斷,上升沿波形緩慢的結(jié)果就是讓我的MOS管在電路導(dǎo)通的過(guò)程中處于線(xiàn)性導(dǎo)通狀態(tài),也就是沒(méi)有完全導(dǎo)通,所以會(huì)發(fā)燙,如果做過(guò)開(kāi)關(guān)電源的話(huà)就知道,MOS管上升沿緩慢代表什么,原因知道的話(huà)那就好辦了,驅(qū)動(dòng)波形上升沿緩慢,也就

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