概述閘級(jí)功率放大器（Gate Driver），也稱柵（閘）級(jí)驅(qū)動(dòng)器，可以讓控制集成電路產(chǎn)生的小功率訊號(hào)來驅(qū)動(dòng)功率晶體（例如IGBT或是功率級(jí)MOSFET）的閘極。柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器可能是附在功率晶體上甚至集成進(jìn)MCU內(nèi)部，也有可能是獨(dú)立的元件。柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器會(huì)包括位準(zhǔn)轉(zhuǎn)換器以及放大器電路。 目的 MOSFET和……

2022-06-21 深圳 南山 , 業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的工程類工業(yè)總線及電源完整性解決方案供應(yīng)商大印藍(lán)海發(fā)布新能源汽車充電樁CP通信濾波降噪模塊 伴隨我國新能源汽車?yán)谜哧懤m(xù)出臺(tái)，城市交通系統(tǒng)紛紛推出新能源公交車，加上工廠、倉庫也逐步應(yīng)用新能源 AGV，充電樁的需求量日增月益。預(yù)計(jì) 2022年，我國將擁有分布式……

晶圓是指制作硅半導(dǎo)體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經(jīng)過研磨，拋光，切片后，形成硅晶圓片，也就是晶圓。國內(nèi)晶圓生產(chǎn)線以 8英寸和 12 英寸為主。 晶圓的主要加工方式為片加工和批加工，即同時(shí)加工1 片或多片晶圓。隨著半……

什么是霍爾效應(yīng)傳感器？ 簡(jiǎn)單地理解就是給一塊半導(dǎo)體材料通電，并將其置于磁場(chǎng)中。磁通線在半導(dǎo)體材料上施加力，使導(dǎo)電材料中的電荷載流子電子和空穴偏轉(zhuǎn)到半導(dǎo)體板的另一側(cè)，產(chǎn)生電位差輸出的霍爾電壓經(jīng)過處理，就可以獲得磁場(chǎng)的大小、位置等信息。 初級(jí)霍爾效應(yīng)傳感器包括：一……

隨著數(shù)字技術(shù)的不斷發(fā)展和計(jì)算機(jī)在信號(hào)處理、控制等領(lǐng)域中的?泛應(yīng)?，過去由模擬電路實(shí)現(xiàn)的?作，今天越來越多地由數(shù)字電路或計(jì)算機(jī)來處理。作為模擬與數(shù)字之間的橋梁，模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器（ADC）的重要性越來越突出，由此也推動(dòng)了ADC測(cè)試技術(shù)的發(fā)展。 本文先介紹了ADC的測(cè)試，包括靜態(tài)參數(shù)和動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，然后結(jié)合?動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)……

5.14大灣區(qū)半導(dǎo)體沙龍– 創(chuàng)業(yè)家園篇 開始10:00am - 結(jié)束14:00 地址：深圳市南山區(qū)深南大道海岸時(shí)代東B 1302 大印藍(lán)海工作室（一區(qū)） 連續(xù)下了數(shù)天大雨，早上起來雨停了，上午沙龍正常舉辦，10點(diǎn)開始。 前期到來的部分創(chuàng)業(yè)小……

FinFET試圖克服晶體管遇到的最糟糕類型的短溝道效應(yīng)，同時(shí)使芯片能夠以更低的成本實(shí)現(xiàn)更高的性能指標(biāo)。自從半導(dǎo)體取得突破以來，縱觀集成電路設(shè)計(jì)的歷史，摩爾定律——即一塊硅上的晶體管數(shù)量每兩年翻一番，而且將一直保持不變。隨著代工廠開發(fā)越來越先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)以滿足消費(fèi)者的需求，當(dāng)今先進(jìn)處理器上的晶體管數(shù)量達(dá)到數(shù)百億。這與1970年代中期只有幾千個(gè)晶體管的處理器相去甚遠(yuǎn)，這在當(dāng)時(shí)是最先進(jìn)的。 推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展并使今天的芯片成為可能的關(guān)鍵技術(shù)趨勢(shì)之一是采用FinFET工藝。另一種有前途的技術(shù)是環(huán)柵(GAA)

在傳統(tǒng)以及準(zhǔn)諧振反激形式應(yīng)用中，由于MOS導(dǎo)通時(shí)的電壓較高（基本都在150V以上），特別是高壓的輸入條件下，會(huì)有較高的開關(guān)損耗及DI/Dt造成的EMI干擾，影響系統(tǒng)效率及EMI特性。直到ZVS反激式電路的出現(xiàn)，很好的解決了這些痛點(diǎn)。 先從反激應(yīng)用電路開始分析，再轉(zhuǎn)到ZVS零電壓開關(guān)電路應(yīng)用一. 反激應(yīng)用中MOSF……

WLCSP（Wafer Level Chip Scale Packaging）是一種晶圓級(jí)芯片封裝方式，有別于傳統(tǒng)的芯片封裝方式（切割、封裝、測(cè)試，封裝后原始芯片數(shù)量會(huì)增加至少20%）。 整個(gè)晶圓封裝測(cè)試后，切割成單個(gè)IC顆粒，因此封裝體積與IC裸片原始尺寸相同。 WLCSP封裝方式不僅顯著減小了內(nèi)存模塊的尺寸，還滿足了移動(dòng)設(shè)備對(duì)體空間的高密度要求。 另一方面，在性能方面，也提升了數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣群头€(wěn)定性。

室內(nèi)定位技術(shù)具有廣闊的應(yīng)用前景，可與寬帶移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、高性能計(jì)算等技術(shù)相結(jié)合，形成新型綜合應(yīng)用，在提升國家空間基礎(chǔ)設(shè)施的服務(wù)能力和服務(wù)水平，提升城市在重大災(zāi)害、公共安全和應(yīng)急救援領(lǐng)域的服務(wù)能力，助力醫(yī)療健康和養(yǎng)老等社會(huì)服務(wù)網(wǎng)絡(luò)化、定制化的進(jìn)程，促進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新和商業(yè)模式創(chuàng)新融合發(fā)展。

射頻器件的挑戰(zhàn)與創(chuàng)新 在從4G到5G的演進(jìn)過程中，射頻器件的復(fù)雜性逐漸增加，產(chǎn)品在設(shè)計(jì)、工藝、材料等方面也發(fā)生了逐步的變化。 同時(shí)，射頻前端面臨功耗、尺寸、天線數(shù)量、芯片設(shè)計(jì)、溫度漂移、信號(hào)干擾、不同類型信號(hào)和諧共存等諸多技術(shù)挑戰(zhàn)。 如何解決這些問題是當(dāng)今工業(yè)和射頻器件創(chuàng)新的重點(diǎn)。 隨著半導(dǎo)體材料的發(fā)展，通過替代……

CAN總線和RS485總線應(yīng)用概述 之前，PC與智能設(shè)備之間的通信主要使用RS232、RS485、以太網(wǎng)等，這取決于設(shè)備的接口規(guī)格。但是，RS232和RS485只能代表通信的物理介質(zhì)層和鏈路層。如果要實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)據(jù)的雙向訪問，則需要編寫自己的通信應(yīng)用程序，但這些程序大多不能滿足 ISO/OSI 規(guī)范，只能實(shí)現(xiàn)。該程序是適用于單一設(shè)備類型的單一功能，并不具有通用性。 在由 RS232 或 RS485 設(shè)備組成的設(shè)備網(wǎng)絡(luò)中，如果設(shè)備數(shù)量超過 2 個(gè)，則必須使用 RS485 作為通信介質(zhì)