在半導(dǎo)體功率電子領(lǐng)域，技術(shù)的每一次革新都推動(dòng)著行業(yè)的快速發(fā)展。近日，薩科微公司推出的瞬態(tài)抑制二極管P6SMB27A，以其卓越的性能參數(shù)，為電路保護(hù)提供了更為可靠的選擇。與此同時(shí)，揚(yáng)杰科技中央研究院正式獲批成為省級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，這一喜訊不僅彰顯了揚(yáng)杰科技在半導(dǎo)體功率電子領(lǐng)域的深厚積累，更為行業(yè)的未來(lái)發(fā)展注入了新的活力。

在電子元件領(lǐng)域，每一個(gè)微小的進(jìn)步都可能帶來(lái)整個(gè)行業(yè)的巨大變革。瞬態(tài)抑制二極管P6SMB24A，以其獨(dú)特的性能參數(shù)，正成為保護(hù)電路免受瞬態(tài)過(guò)電壓沖擊的重要元件。與此同時(shí)，在制造與供應(yīng)鏈管理領(lǐng)域，富士康的“FoxBrain”大型語(yǔ)言模型的推出，則預(yù)示著智能制造與人工智能技術(shù)的深度融合，將開(kāi)啟全新的制造與供應(yīng)鏈優(yōu)化時(shí)代。

在科技日新月異的今天，電子產(chǎn)品的微型化與智能化已成為不可逆轉(zhuǎn)的趨勢(shì)。作為電子器件中的關(guān)鍵組件，瞬態(tài)抑制二極管（Transient Voltage Suppressor Diode，簡(jiǎn)稱TVS）在確保電路穩(wěn)定、保護(hù)電子設(shè)備免受瞬態(tài)過(guò)電壓沖擊方面扮演著重要角色。其中，P6SMB20A以其獨(dú)特的性能參數(shù)，成為了眾多電子設(shè)備制……

在當(dāng)今快速發(fā)展的電子行業(yè)中，半導(dǎo)體技術(shù)的每一次革新都推動(dòng)著整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的升級(jí)與進(jìn)步。近日，山西爍科晶體有限公司宣布成功研制出12英寸（300mm）高純半絕緣碳化硅單晶襯底及同尺寸的N型碳化硅單晶襯底，這一消息無(wú)疑為半導(dǎo)體材料領(lǐng)域注入了新的活力。與此同時(shí)，瞬態(tài)抑制二極管P6SMB22A作為電子保護(hù)器件的佼佼者，也在其特定的……

在科技日新月異的今天，每一個(gè)細(xì)微的技術(shù)進(jìn)步都可能成為推動(dòng)行業(yè)變革的重要力量。近期，瞬態(tài)抑制二極管P6SMB18A的出色性能與國(guó)芯科技宣布啟動(dòng)的首顆基于RSIC-V架構(gòu)的高性能車(chē)規(guī)MCU芯片CCFC3009PT的設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)，共同展示了科技在電子保護(hù)與智能汽車(chē)領(lǐng)域的最新進(jìn)展，預(yù)示著未來(lái)出行將更加安全、高效。

在科技日新月異的今天，每一個(gè)微小的技術(shù)進(jìn)步都可能成為推動(dòng)行業(yè)乃至整個(gè)社會(huì)變革的關(guān)鍵力量。近期，電子產(chǎn)品領(lǐng)域的瞬態(tài)抑制二極管P6SMB10A與新聞中報(bào)道的中國(guó)科學(xué)家在碳基微芯片領(lǐng)域的突破性進(jìn)展，共同揭示了未來(lái)計(jì)算技術(shù)發(fā)展的新方向。這兩項(xiàng)看似不相關(guān)的技術(shù)，實(shí)則都在以自己的方式拓寬著科技的邊界，預(yù)示著一個(gè)更加智能、高效的計(jì)算……

在科技創(chuàng)新日新月異的今天，每一個(gè)微小的電子元件都是推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步的關(guān)鍵力量。薩科微公司推出的瞬態(tài)抑制二極管P6SMB6.8A，以其出色的電氣性能和可靠的保護(hù)能力，為集成電路的安全運(yùn)行提供了堅(jiān)實(shí)的保障。與此同時(shí)，廣東漢旗半導(dǎo)體有限公司全芯微DFN/QFN封裝項(xiàng)目的正式動(dòng)工，標(biāo)志著我國(guó)在車(chē)規(guī)級(jí)芯片與第三代半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域邁……

隨著2025年政府工作報(bào)告的發(fā)布，回顧過(guò)去一年，我國(guó)在集成電路、人工智能、量子科技等前沿領(lǐng)域取得了顯著成就，為數(shù)字經(jīng)濟(jì)的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。步入2025年，國(guó)家明確提出將進(jìn)一步激發(fā)數(shù)字經(jīng)濟(jì)創(chuàng)新活力，持續(xù)推進(jìn)“人工智能＋”行動(dòng)，旨在通過(guò)深度融合人工智能技術(shù)，推動(dòng)各行各業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)，開(kāi)啟智慧社會(huì)的新篇章。在這一波瀾壯闊的科……

在科技日新月異的今天，每一個(gè)微小的電子元件都是推動(dòng)科技進(jìn)步不可或缺的力量。瞬態(tài)抑制二極管SMBJ6.8A，以其精準(zhǔn)的性能參數(shù)，成為保護(hù)電子設(shè)備免受瞬態(tài)電壓沖擊的關(guān)鍵守護(hù)者。與此同時(shí)，全球科技巨頭谷歌在芯片開(kāi)發(fā)領(lǐng)域的最新動(dòng)向，正引領(lǐng)著AI與高性能計(jì)算的新一輪革新。本文將結(jié)合SMBJ6.8A的產(chǎn)品特性與谷歌在以色列擴(kuò)大芯片……

在當(dāng)今這個(gè)數(shù)字化、智能化的時(shí)代，電子產(chǎn)品無(wú)處不在地滲透進(jìn)我們的生活與工作之中，從智能手機(jī)到智能家居，從自動(dòng)駕駛汽車(chē)到高性能服務(wù)器，每一項(xiàng)技術(shù)的背后都離不開(kāi)對(duì)電子元件性能極致追求的努力。其中，瞬態(tài)抑制二極管（Transient Voltage Suppressor Diode, TVS）作為保護(hù)電子設(shè)備免受瞬態(tài)過(guò)電壓損害……

在科技日新月異的今天，半導(dǎo)體技術(shù)的每一次進(jìn)步都深刻影響著全球電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。2025年3月5日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”）宣布了一項(xiàng)具有里程碑意義的成就——成功發(fā)布全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵8英寸單晶。這一突破不僅標(biāo)志著鎵仁半導(dǎo)體在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先，也為中國(guó)乃至全球的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入了新的活……

近日，記者從北海高新區(qū)福成新區(qū)獲悉，備受矚目的銀河芯片產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目即將投產(chǎn)。該項(xiàng)目總投資高達(dá)25億元，占地500畝，是自治區(qū)“雙百雙新”產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目的重要組成部分。作為集生產(chǎn)、研發(fā)與人才培養(yǎng)于一體的綜合性產(chǎn)業(yè)園區(qū)，銀河芯片產(chǎn)業(yè)園的投產(chǎn)不僅標(biāo)志著廣西在軍工電子及傳感器芯片領(lǐng)域取得重大突破，更將為區(qū)域產(chǎn)業(yè)升級(jí)注入強(qiáng)勁動(dòng)力。