描述 被動元器件又稱為無源器件，是指不影響信號基本特征，僅令訊號通過而未加以更改的電路元件。最常見的有電阻、電容、電感、陶振、晶振、變壓器等。被動元件，區(qū)別于主動元件。而國內此前則稱無源器件和有源器件。被動元件內無需電源驅動且自身不耗電，僅通過輸入信號即可作出放大，震蕩和計算的反應，而不需……

高壓上下電管理 高壓上電管理：BMS進行自檢狀態(tài)，通過檢測后等待VCU上電指令，在接收到VCU上高壓電指令后，BMS控制閉合主負、預充繼電器進行預充，當檢測到MCU輸入電壓大于母線端電壓的95%，預充完成，閉合主正繼電器，延遲一段時間后，斷開預充繼電器，高壓上電完成，進入BMS工作模式。KL15為OFF狀態(tài)，或者……

摘要 與傳統(tǒng)單面散熱 IGBT 模塊不同，雙面散熱汽車 IGBT 模塊同時向正、反兩面?zhèn)鲗崃?，其熱測試評估方式需重新考量。本文進行雙面散熱汽車 IGBT 模塊熱測試工裝開發(fā)與熱界面材料選型，同時對比研究模塊壓裝方式，開發(fā)出一種適用于雙面散熱汽車 IGBT 模塊的雙界面散熱結構熱測試方法，可實現單面熱阻測……

MOS管是金屬（metal）氧化物（oxide）半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬絕緣體（insulator）半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。 MOS管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管

根據 50 歐姆阻抗線寬進行布線，盡量從焊盤中心出線，線成直線，盡量走在表層。在需要拐彎的地方做成45 度角或圓弧走線，推薦在電容或電阻兩邊進行拐彎。如果遇到器件走線匹配要求的，請嚴 格按照datasheet上面的參考值長度走線。比如，一個放大管與電容 之間的走線長度(或電感之間的走線長度)要求等等。 1、通用做……

本文刊載于《中國科學院院刊》2023年第2期“科學觀察” 李樹深* 中國科學院半導體研究所 半導體……

一旦硅開始達不到電路需求，碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導體材料浮出水面。與單獨的硅相比，這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復雜的電子產品。這些因素可能導致碳化硅和氮化鎵在整個電子市場上得到更廣泛的采用。 　　讓我們探討一下碳化硅和氮化鎵之間的主要區(qū)別，這將有助于我們了解何時最有效地應用這些化合物……

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）于20世紀80年代初發(fā)明、開發(fā)并商業(yè)化。器件結構（圖4左側）可以設計為在第一象限和第三象限（對稱IGBT）的結J1和J2處阻斷電壓，或者僅在第一象限（不對稱IGBT）阻斷電壓。IGBT通過使用正柵極偏置創(chuàng)建MOS溝道來工作，該偏置將基極驅動電流輸送到內部寬基極P-N-P雙極晶體管。在同一漂移……

外延層是在晶圓的基礎上，經過外延工藝生長出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質外延片，可進一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應用最多的是4H-SiC 型襯底。 由于碳化硅功率……

在集成電路的制造過程中，有一個重要的環(huán)節(jié)——光刻，正因為有了它，我們才能在微小的芯片上實現功能。現代刻劃技術可以追溯到190年以前，1822年法國人Nicephore niepce在各種材料光照實驗以后，開始試圖復制一種刻蝕在油紙上的印痕（圖案)，他將油紙放在一塊玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的瀝青。經過2、3小時……

前言：碳化硅產業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關鍵的四個環(huán)節(jié)，襯底成本占到碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的……

01 關于 IGBT ……