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技術(shù)交流

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以下觀點僅代表嘉賓本人立場,文章都已獲得本人授權(quán)發(fā)布,與本網(wǎng)站無關(guān)。?
胡正明撰文:晶體管的未來是我們的未來
  • 更新日期: 2022-12-08
  • 瀏覽次數(shù): 1709
在晶體管發(fā)明 75 周年之際,我想回答兩個問題:世界需要更好的晶體管嗎?如果是這樣,他們會是什么樣子? 我會爭辯說,是的,我們將需要新的晶體管,而且我認為我們今天已經(jīng)有了一些關(guān)于它們會是什么樣子的暗示。問題在于我們是否有意愿和經(jīng)濟能力去制造它們。 ……
PCB電路板散熱設計技巧
  • 更新日期: 2022-12-07
  • 瀏覽次數(shù): 1878
PCB電路板散熱設計技巧 一、熱設計的重要性 電子設備在工作期間所消耗的電能,比如射頻功放,F(xiàn)PGA芯片,電源類產(chǎn)品,除了有用功外,大部分轉(zhuǎn)化成熱量散發(fā)。電子設備產(chǎn)生的熱量,使內(nèi)部溫度迅速上升,如果不及時將該熱量散發(fā),設備會繼續(xù)升溫,器件就會因過熱失效,電子設備的可靠性將下降。SMT使電子設備的安裝密度增大,有效散熱面積減小,設備溫升嚴重地影響可靠性,因此,對熱設計的研究顯得十分重要。 對于PCB電路板的散熱是一個非常重要的環(huán)節(jié),那么PCB電路板散熱技巧是怎樣的,下面我們
功率電子呈現(xiàn)不斷發(fā)展的趨勢-SiC IGBT和氧化鎵
  • 更新日期: 2022-12-07
  • 瀏覽次數(shù): 1836
Yole表示,金剛石、SiC IGBT和氧化鎵是長期關(guān)注的技術(shù) 電動化、電池的日益使用和自動化等趨勢正在推動功率電子產(chǎn)品的需求,這是通過減少二氧化碳排放和提高系統(tǒng)效率來減緩氣候變化的努力所推動的。 根據(jù)Yole的《2022年功率電子行業(yè)現(xiàn)狀》報告,由于電動和混合動力汽車(xEV)、工廠自動化、光伏
基于輸入阻抗控制的多模式混合PFC的控制
  • 更新日期: 2022-11-30
  • 瀏覽次數(shù): 2192
前言:在之前我提出了DCM補償?shù)乃惴?,解決了在不變化頻率時DCM區(qū)域的電流諧振失真,可見:《基于輸入阻抗控制策略的CCM PFC在高壓和輕負載工況下的ithd優(yōu)化與思考》。但是如果可以允許開關(guān)頻率變化,那么就可以啟用CrM的工作區(qū)域,來實現(xiàn)真正的全負載范圍的多模式無縫切換混合模式PFC,即在一個AC周期內(nèi)直接以DCM/……
如何解決芯片封裝散熱問題
  • 更新日期: 2022-11-29
  • 瀏覽次數(shù): 1886
工程師們正在尋找從復雜模塊中有效散熱的方法。 將多個芯片并排置于同一封裝中可以緩解熱問題,但隨著公司進一步深入研究芯片堆疊和更密集的封裝,以提高性能和降低功率,他們正在與一系列與熱有關(guān)的新問題作斗爭。 先進封裝芯片不僅能滿足高性能計算、人工智能、功率密度增長等的需求,同時先進封裝的散熱問題也……
模擬輸入信號的保護電路問題
  • 更新日期: 2022-11-28
  • 瀏覽次數(shù): 1928
本文介紹了四種模擬輸入信號的保護電路的實現(xiàn)方法。 近由于工作的需要,涉及到了模擬輸入信號的保護電路問題。結(jié)合以往的工作實踐以及網(wǎng)絡文獻資料的查找?,F(xiàn)在就保護電路作一簡單的說明。 電源鉗位保護 上述電路存在可靠性的問題。如果輸入電壓過高,比如超過了運放的工作電壓。那么就有可能造成運放的損壞。……
碳化硅電源管理解決方案如何搭配?
  • 更新日期: 2022-11-28
  • 瀏覽次數(shù): 1609
綠色倡議持續(xù)推動工業(yè)、航空航天應用,尤其是運輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設計轉(zhuǎn)型。碳化硅(SiC)是引領這一趨勢的核心技術(shù),可提供多種新功能不斷推動各種車輛和飛機實現(xiàn)電氣化,從而減少溫室氣體(GHG)排放。 碳化硅解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機的氣動和液壓系統(tǒng),為機載交流發(fā)電機、執(zhí)行機構(gòu)和輔助動力裝置……
超暴力拆解小米120W氮化鎵充電器:支離破碎中尋找國產(chǎn)芯
  • 更新日期: 2022-11-28
  • 瀏覽次數(shù): 4543
氮化鎵充電器的快速崛起讓消費者不再滿足低功率的快充,而消費者的迫切需求也促使各家廠商不斷追逐更高功率的快充方案,目前公認的120W左右的快充算是屬于消費電子行業(yè)第一梯隊,因此本期硬核拆評將拆解一款小米的120W氮化鎵快充,看看高功率的氮化鎵快充方案有何不同? ……
芯片調(diào)測——ESD測試
  • 更新日期: 2022-11-26
  • 瀏覽次數(shù): 7516
先來談靜電放電(ESD: Electrostatic Discharge)是什么?這應該是造成所有電子元器件或集成電路系統(tǒng)過度電應力破壞的主要元兇。因為靜電通常瞬間電壓非常高(>幾千伏),所以這種損傷是毀滅性和永久性的,會造成電路直接燒毀。所以預防靜電損傷是所有IC設計和制造的頭號難題。 靜電,通常……
半導體器件的ESD測試帶電器件模型(CDM)及靜電敏感度分級
  • 更新日期: 2022-11-26
  • 瀏覽次數(shù): 16915
一、ESD帶電器件模型 帶電器件模型(Charged-Device Model - CDM)是第三種重要的元器件靜電放電耐受閾值的測試方法。CDM 模型與之前討論的HBM、 MM模型完全不同。HBM和MM模型是模擬人體(Human Body)或機器設備(Machine)帶電后對元器件放電,而 CDM模型則是……
功率半導體器件學習筆記
  • 更新日期: 2022-11-21
  • 瀏覽次數(shù): 2875
第一代半導體Si基 二極管 簡介:單個PN結(jié)結(jié)構(gòu),導通和斷開兩種狀態(tài),不具備放大,單向?qū)ǎ? 無外部電流、電壓控制,就是0和1的狀態(tài),電壓電流較小。 應用:各種電子設備,工業(yè)設備。 晶體管:BJT 簡介:背靠背的PN結(jié)結(jié)構(gòu),通過電流驅(qū)動實現(xiàn)線性放大功能,具有放大工作區(qū)域,……
2022英特爾® FPGA中國技術(shù)周——11月14日技術(shù)日
  • 更新日期: 2022-11-14
  • 瀏覽次數(shù): 1711
11月14日至18日,2022英特爾?FPGA中國技術(shù)周(IFTD)將與全球各市場同步線上舉辦,來自國內(nèi)外的技術(shù)專家將在五天的時間里,從產(chǎn)品、軟件開發(fā)與設計、云計算、嵌入式、網(wǎng)絡五大主題領域展開技術(shù)詳解。每日一主題、每天兩小時,通過二十余場主題演講及技術(shù)方案分享,助您全覽英特爾?FPGA產(chǎn)品技術(shù)優(yōu)勢和落地實踐方案。 ……

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