印制電路板生產(chǎn)制造的過程中，焊接質(zhì)量的好壞會直接影響整機產(chǎn)品質(zhì)量的好壞。常見的可焊性問題有：潤濕不良、立碑、裂紋、氣孔、假焊、虛焊、上錫不良和夾渣缺陷等。 究其原因，到底是什么導(dǎo)致產(chǎn)品出現(xiàn)此類焊接失效問題的發(fā)生呢？ 這涉及到以下幾個方面： 01 助焊劑、焊料等原料的質(zhì)量是否滿足要求。原料……

電子產(chǎn)品高集成化、微型化發(fā)展，電子封裝高精密度、小型化、PCBA高密度互連帶來的精細導(dǎo)線化和微小孔徑化，使得對檢測方法和技術(shù)提出了更嚴格的要求。切片分析技術(shù)在電子產(chǎn)品微觀檢測方面應(yīng)用廣泛，起到重要作用！ 通常被用作電子產(chǎn)品的品質(zhì)判定和品質(zhì)異常分析、檢驗電路板品質(zhì)的好壞、PCBA焊接質(zhì)量檢測、尋找失效……

失效分析基本概念 定義：對失效電子元器件進行診斷過程。 1、進行失效分析往往需要進行電測量并采用先進的物理、冶金及化學(xué)的分析手段。 2、失效分析的目的是確定失效模式和失效機理，提出糾正措施，防止這種失效模式和失效機理的重復(fù)出現(xiàn)。 3、失效模式是指觀察到的失效現(xiàn)象、失效形式……

1 ---MOSFET開關(guān)管工作的最大占空比Dmax： ……

摘?要：隨著硅基氮化鎵外延技術(shù)的不斷突破，其專用的硅襯底材料的國產(chǎn)化問題日益凸顯。分析了國產(chǎn)片外延后邊緣滑移線密集和裂片問題，提出了硅片邊緣控制和機械強度控制參數(shù)和技術(shù)指標，為滿足功率器件級氮化鎵外延需求的高質(zhì)量硅襯底研制指明了一定的方向。 氮化鎵具有高飽和電子速率和擊穿電壓及耐高溫等特性，可用于制作極其惡劣環(huán)境下運……

揭秘！怎樣把沙子變成99.999999999%純度的芯片原材料硅片 高純度的單晶硅片是制造各種芯片的基礎(chǔ)材料，半導(dǎo)體級硅的純度極高，通常要達到99.9....%(小數(shù)點后面7至9個9，甚至是12個9），且為單晶，即硅原子晶格統(tǒng)一朝向。 當(dāng)然這里所說的純度一般是僅考慮不含金屬雜質(zhì)的純度，不包括……

在惡劣或強電子干擾環(huán)境中，比如工業(yè)環(huán)境和生產(chǎn)裝配線等等，在這些系統(tǒng)中，機械設(shè)備、高頻 設(shè)備、火花機等等會產(chǎn)出各種干擾和噪聲從而影響其它電源的正常工作。出于對凈化電源的要求， 比如對電源質(zhì)量要求比較高的精密儀器設(shè)備特別是傳感器和微弱信號采集的要求，采用直流隔離 電源是普通和常用的辦法。 直流（或噪聲）隔……

DC/DC 開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇是一個復(fù)雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。要想讓 MOSFET 維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統(tǒng)中，這種情況會變得更加復(fù)雜。 圖 1—降壓同步開關(guān)穩(wěn)壓器原理圖 DC/DC 開關(guān)電源因其高效率而廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代許多電子系統(tǒng)中。例如，同時擁有一個高側(cè) FET和低側(cè) FET 的降壓同步開關(guān)穩(wěn)壓器，如圖 1 所示。這兩個 FET 會根據(jù)控制

大多數(shù)數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)采用固定的正基準電壓工作，輸出電壓或電流與基準電壓和設(shè)定的數(shù)字碼的乘積成比例。而對于所謂的乘法數(shù)模轉(zhuǎn)換器(MDAC)，情況并非如此，其基準電壓可以變化，變化范圍通常是±10 V。因此，通過基準電壓和數(shù)字碼可以影響模擬輸出(在這兩種情況下都是動態(tài)的)。 應(yīng)用 借……

MOS管，是MOSFET的縮寫，全拼是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，翻譯過來是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，根據(jù)導(dǎo)電溝道的不同，MOS可以細分為NMOS和PMOS兩種。 下圖是NMOS的示意圖，從圖中紅色框內(nèi)可以看到，MOS在D、S極之間并聯(lián)了一個二極管，有人說這個二極管是寄生二極管，有人說是體二極管，究竟哪個說法準確呢？很多同學(xué)也非常好奇：為什么要并聯(lián)這個二極管？是否可以刪除呢？ 這要從MOS的工藝和結(jié)構(gòu)說起，不

在“追光實驗室”上海站啟動儀式上，阿斯麥（ASML）中國區(qū)總裁沈波笑言，隨著近年來半導(dǎo)體的社會關(guān)注度上升，ASML已經(jīng)成功出圈，從一家只有業(yè)內(nèi)人士了解的隱形冠軍，成為全民都能談?wù)搸拙涞木W(wǎng)紅公司，幾乎每天都能看到與ASML相關(guān)的報道和話題。ASML中國區(qū)技術(shù)總監(jiān)高偉民甚至總結(jié)了媒體報道中對ASML的描述，他表示，專業(yè)媒體……

今天來說兩個問題：1、MOS管導(dǎo)通電流能否反著流？D到S，S到D方向隨意？ 2、MOS管體二極管能過多大的電流？ 為啥會有這兩個問題？ 我們在最開始學(xué)習(xí)MOS管的時候，應(yīng)該都是從NMOS開始的，電流的方向都是從D到S的。 而實際應(yīng)用電路，NMOS會有電流從S到D的情況，比如下面這個……