光刻機按光源類型可分為五類：I-line光刻機、KrF光刻機、ArF光刻機、ArFi光刻機（即ArF浸沒式光刻機，與ArF光刻機相比在曝光過程中在投影物鏡和晶圓之間放置了一層水膜）、EUV光刻機。按照應(yīng)用領(lǐng)域可分為IC前道光刻機和IC后道光刻機。其中，IC前道光刻機主要應(yīng)用于芯片制造，而后道光刻機主要用于芯片封裝。

隨著IC制程不斷向前推進，IC元件將更加復(fù)雜，光刻工藝平均所需的曝光層數(shù)不斷增多，這將驅(qū)動光刻機需求的增長。未來從7nm節(jié)點開始向下，EUV光刻機將逐漸被應(yīng)用在關(guān)鍵層曝光，銷售量占比有望持續(xù)提升；7nm及以上節(jié)點，ArFi光刻機仍將作為關(guān)鍵層曝光的主力機型，ArF和KrF光刻機則將主要應(yīng)用在次關(guān)鍵層和非關(guān)鍵層曝光，銷售量將保持相對穩(wěn)定。

而I-line光刻機在存儲芯片的非關(guān)鍵層曝光中還有廣泛的應(yīng)用，但在28nm 以下節(jié)點的邏輯芯片非關(guān)鍵層曝光中的應(yīng)用則將逐漸減少。

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