功率管的最主要的應(yīng)用是控制電流的通斷，即在一定的電壓條件下對流經(jīng)器件的電流進(jìn)行開關(guān)控制。首先，在可以承受的擊穿電壓的前提下（即器件的工作電壓平臺）， 器件導(dǎo)通電阻越低，其導(dǎo)通損耗就越低。其次，器件在開關(guān)狀態(tài)間切換時(shí)，柵極電荷越 小，器件的開關(guān)速度就越快，其動態(tài)損耗就越低。

圖：MOS管結(jié)構(gòu)

對于功率MOSFET來說，導(dǎo)通電阻與柵極電荷互為權(quán)衡（trade-off）關(guān)系，因?yàn)閷τ谕粋€(gè)器件結(jié)構(gòu)來說，可以通過并聯(lián)更多重復(fù)單元來降低導(dǎo)通電阻，但會導(dǎo)致柵極電荷相應(yīng)地增加；反之減少器件并聯(lián)的重復(fù)單元數(shù)，可以使得器件的柵極電荷變小，但其導(dǎo)通電阻會增大。因此，器件的導(dǎo)通電阻與柵極電荷的乘積優(yōu)值（即品質(zhì)因數(shù)，F(xiàn)igure of Merit，“FOM”）可以最直觀地反映 MOSFET產(chǎn)品在同等電壓平臺下的綜合性能。

圖：MOS管外形

MOSFET產(chǎn)品的核心指標(biāo)的比較基礎(chǔ)以及相互之間存在的制約關(guān)系如下： 

1）高壓MOSFET產(chǎn)品性能的關(guān)鍵指標(biāo)之一是導(dǎo)通電阻Ron與柵極電荷Qg 的乘積優(yōu)值FOM。相同導(dǎo)通電阻下，柵極電荷越小則優(yōu)值越低，器件的動態(tài)損耗越小，整體性能越強(qiáng)。在電壓為限定條件時(shí)，功率MOSFET的導(dǎo)通電阻與柵極電荷的乘積越小， 該器件性能更優(yōu)，技術(shù)更加先進(jìn)。

2）高壓MOSFET產(chǎn)品性能的另外兩個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)是導(dǎo)通電阻Ron以及耐壓 BV。相同耐壓下，導(dǎo)通電阻越小，器件的導(dǎo)通損耗越小，器件性能越強(qiáng)。同時(shí)，導(dǎo)通電阻可以通過增大芯片面積來實(shí)現(xiàn)，所以該指標(biāo)需在同一封裝類型下進(jìn)行對比以便限定芯片的面積的上限。相同的封裝下導(dǎo)通電阻Ron 更小的產(chǎn)品才代表更先進(jìn)的技術(shù)水平。

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