硅片是現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)的核心材料，廣泛應(yīng)用于集成電路、太陽(yáng)能電池、MEMS等領(lǐng)域。硅片（wafer）的生產(chǎn)工藝對(duì)其質(zhì)量、性能和后續(xù)的應(yīng)用至關(guān)重要。硅基集成電路工藝中，硅片的純度、摻雜濃度、晶體結(jié)構(gòu)等參數(shù)會(huì)直接影響到器件的性能。在硅片生產(chǎn)中，最常用的兩種工藝是直拉法（Czochralski，簡(jiǎn)稱(chēng)CZ法）和區(qū)熔法（Float-……

離子注入過(guò)程就像是一個(gè)高速公路上的投射系統(tǒng)，從離子源開(kāi)始“起步”，通過(guò)加速和質(zhì)量分離進(jìn)行挑選，經(jīng)過(guò)加速通道達(dá)到高速，然后通過(guò)鏡頭和偏轉(zhuǎn)裝置精準(zhǔn)瞄準(zhǔn)，最終將晶圓作為終點(diǎn)，精準(zhǔn)完成摻雜。離子注入機(jī)（Ion Implanter）的組成如下： 1. 離子源（Ion Source） 離子源是離……

在硅基集成電路生產(chǎn)過(guò)程中，硅片（wafer）是關(guān)鍵材料之一。硅片的直徑和大小在整個(gè)生產(chǎn)工藝中起著至關(guān)重要的作用。硅片的尺寸不僅決定了可以生產(chǎn)的芯片數(shù)量，也對(duì)成本、產(chǎn)能和質(zhì)量有直接影響。 一、硅片尺寸的歷史發(fā)展 集成電路生產(chǎn)的早期，使用的硅片直徑較小。1960年代中期，硅片的直徑通常是25毫米（1英寸……

擴(kuò)散（Diffusion）是晶圓制造過(guò)程中至關(guān)重要的工藝步驟之一，尤其是在半導(dǎo)體制造中，用于摻雜硅基材料。這一過(guò)程是通過(guò)擴(kuò)散將特定的摻雜物（如磷、硼、砷等）引入硅晶圓，以調(diào)整其導(dǎo)電性。 1. 擴(kuò)散的基本原理 擴(kuò)散，是指分子從高濃度區(qū)域向低濃度區(qū)域移動(dòng)的過(guò)程。在晶圓制造中，擴(kuò)散的對(duì)象是摻雜物（例如砷、磷或硼等……

1. 硅片制造 高質(zhì)量硅片的生產(chǎn)從單晶硅錠開(kāi)始，經(jīng)過(guò)多道工藝步驟，包括切片、表面處理和精加工。其中，線鋸切割是將大尺寸的圓柱形硅錠切割成薄片（即硅片）的關(guān)鍵步驟。 線鋸切割是確保硅片具有所需厚度和平整度的關(guān)鍵步驟，同時(shí)還能盡量減少材料損耗和缺陷。這一過(guò)程需要在切割速度、精度和表面質(zhì)量之間找到平衡。 2……

1. 概述 失效分析是確保集成電路和微電子器件可靠性、優(yōu)化制造工藝的重要環(huán)節(jié)。隨著技術(shù)的進(jìn)步，特別是進(jìn)入5nm、7nm等先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)后，器件失效模式變得更為復(fù)雜，要求我們使用各種高精度的分析工具進(jìn)行失效定位和機(jī)理分析。原子力顯微鏡（Atomic Force Microscope，簡(jiǎn)稱(chēng)AFM）就是其中一種重要的分析……

晶圓清洗（Wet Clean）是半導(dǎo)體制造工藝中至關(guān)重要的步驟之一，其目的是去除晶圓表面的各種污染物，確保后續(xù)工藝步驟能夠在潔凈的表面上進(jìn)行。 圖：批量的晶圓清洗 隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷縮小和精度要求的不斷提高，晶圓清洗工藝的技術(shù)要求也日益嚴(yán)苛。晶圓表面任何微小的顆粒、有機(jī)物、金屬離子或氧化物殘留……

datasheet是芯片的使用說(shuō)明書(shū)，里面有芯片的產(chǎn)品簡(jiǎn)述、功能描述、特點(diǎn)、應(yīng)用、封裝、管腳圖、內(nèi)部框圖、極限參數(shù)、電氣參數(shù)等信息。今天，我們就來(lái)聊聊一款功能強(qiáng)大、特點(diǎn)豐富的三相無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片。我們會(huì)以一個(gè)輕松有趣的方式，分步驟地剖析其datasheet，讓大家對(duì)這款芯片有一個(gè)全面而深入的了解。

真空計(jì)是用于探測(cè)真空系統(tǒng)中氣體壓力的儀器，它廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、光伏、科研實(shí)驗(yàn)等領(lǐng)域。在這些應(yīng)用中，不同種類(lèi)的真空計(jì)用于測(cè)量不同的真空水平，以確保系統(tǒng)內(nèi)的氣體壓力保持在指定的范圍內(nèi)。理解真空計(jì)的工作原理和選擇適合的真空計(jì)對(duì)精確控制工藝至關(guān)重要，特別是在半導(dǎo)體制造中，許多關(guān)鍵工藝需要在特定的真空條件下進(jìn)行，如蝕刻、沉積……

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA，Electronic Design Automation）是指一系列用于設(shè)計(jì)、分析和優(yōu)化電子系統(tǒng)和集成電路（IC）的軟件工具。這些工具幫助工程師們完成芯片設(shè)計(jì)中的復(fù)雜任務(wù)，包括設(shè)計(jì)數(shù)字電路、模擬電路、驗(yàn)證電路功能、優(yōu)化性能等。通過(guò)使用EDA工具，工程師們可以在設(shè)計(jì)芯片時(shí)提高效率、減少錯(cuò)誤，并且更……

晶面和晶向是晶體學(xué)中兩個(gè)核心的概念，它們與硅基集成電路工藝中的晶體結(jié)構(gòu)有密切的關(guān)系。 1. 晶向的定義與性質(zhì) 晶向代表晶體中一個(gè)特定方向，通常用晶向指數(shù)來(lái)表示。晶向通過(guò)連接晶體結(jié)構(gòu)中任意兩個(gè)晶格點(diǎn)來(lái)定義，并且有以下幾個(gè)特性：每個(gè)晶向上都包含無(wú)窮多個(gè)格點(diǎn)；同一個(gè)晶向可以有多個(gè)平行的晶向組成一個(gè)晶向簇；晶向簇覆……

在半導(dǎo)體和光電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展中，材料生長(zhǎng)技術(shù)扮演了關(guān)鍵角色。無(wú)論是用于電腦芯片的晶體管，還是高亮度發(fā)光二極管（LED），這些現(xiàn)代電子設(shè)備都依賴(lài)于半導(dǎo)體材料的制備。而外延生長(zhǎng)技術(shù)正是其中重要的一環(huán)，它幫助我們?cè)诰w襯底上精確地構(gòu)建新的材料層，提升了器件的性能和可靠性。 無(wú)論是化學(xué)氣相沉積（CVD）還是分子束外延（MB……