在電子電路和工業(yè)應(yīng)用中，IGBT功率管被普遍應(yīng)用，電磁爐中的開關(guān)管，變頻器中三相電機(jī)控制，程控電源，逆變器等。通過IGBT來控制大電流的快速開關(guān)實(shí)現(xiàn)不同的功能。本節(jié)來學(xué)習(xí)IGBT驅(qū)動芯片IR2104的使用。

每個芯片必須通過的 “封裝”工藝才能成為完美的半導(dǎo)體產(chǎn)品。封裝主要作用是電氣連接和保護(hù)半導(dǎo)體芯片免受元件影響。

利用聚焦電子束對某些高分子聚合物（電子束光刻膠）進(jìn)行曝光并通過顯影獲得圖形的過程。產(chǎn)生聚焦電子束并讓聚焦電子束按照設(shè)定的圖形掃描的設(shè)備就叫做電子束光刻機(jī)。

二極管的種類有很多，按照所用的半導(dǎo)體材料，可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）

由于 NRZ 信令不足并且 PAM-4 能夠以波特率的一半實(shí)現(xiàn)更高的比特率，因此設(shè)計(jì)人員可以繼續(xù)以有望達(dá)到 400G 的以太網(wǎng)數(shù)據(jù)速率使用現(xiàn)有信道

飛行時間技術(shù)在廣義上可理解為通過測量物體、粒子或波在固定介質(zhì)中飛越一定距離所耗費(fèi)時間

特斯拉公司表示，新一代永磁電機(jī)可以在效率和質(zhì)量上達(dá)到甚至比稀土材料電機(jī)更高的水平。

GaN 半導(dǎo)體晶體材料的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，綜述了近年來采用 HVPE 法生長高質(zhì)量 GaN 晶體的主要研究進(jìn)展；對 GaN 的摻雜特性、摻雜劑類型、生長工藝以及摻雜原子對電學(xué)性能的影響進(jìn)行了詳細(xì) 介紹

由于科學(xué)界認(rèn)為鋰離子電池已經(jīng)到達(dá)極限，固態(tài)電池于近年被視為可以繼承鋰離子電池地位的電池。

RISC-V（Reduced Instruction Set Computing Five）是一種基于精簡指令集計(jì)算機(jī)（RISC）原則的開源指令集架構(gòu)（ISA）。RISC-V最初于2010年由加州大學(xué)伯克利分校的研究人員提出，并逐漸成為開源計(jì)算機(jī)架構(gòu)中的一股強(qiáng)大力量。RISC-V架構(gòu)的出現(xiàn)和發(fā)展，不僅推動了開源計(jì)算機(jī)架構(gòu)的發(fā)展，也為智能汽車行業(yè)的未來發(fā)展提供了新的可能性和方向。上海交通大學(xué)深圳行業(yè)研究院首席科學(xué)家、院長助理蔣煒教授與兆芯微電子公司總經(jīng)理歐沅昊針對RISC-V框架在智能汽車領(lǐng)域的運(yùn)用進(jìn)行探討

三星在年初的IEEE國際固態(tài)電路大會(ISSCC)上，公布3nm制造技術(shù)的一些細(xì)節(jié)，包括類似全柵場效應(yīng)晶體管(GAAFET)結(jié)構(gòu)，率先開啟先進(jìn)工藝在技術(shù)架構(gòu)上的轉(zhuǎn)型。知名能源與電力媒體eenews報道稱，三星工廠已經(jīng)流片采用環(huán)繞柵極 (GAA) 晶體管架構(gòu)的3nm芯片，通過納米片(Nanosheet)制造出MBCFET……

一、增強(qiáng)型MOS管結(jié)構(gòu) 1.增強(qiáng)型MOS管結(jié)構(gòu) ①以低摻雜的P型硅片為襯底。 ②利用擴(kuò)散工藝制作成兩個高摻雜的N+區(qū)，并引出兩個電極，分別為源極s和漏極d。 ③在半導(dǎo)體上制作一層SiO2絕緣層，在SiO2上制作一層金屬鋁，引出電極，作為柵極g。 ④通常將柵極與襯底連接在一起，這樣襯底與柵極……