MOS管是金屬（metal）氧化物（oxide）半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬絕緣體（insulator）半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。 MOS管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管

根據(jù) 50 歐姆阻抗線寬進(jìn)行布線，盡量從焊盤中心出線，線成直線，盡量走在表層。在需要拐彎的地方做成45 度角或圓弧走線，推薦在電容或電阻兩邊進(jìn)行拐彎。如果遇到器件走線匹配要求的，請(qǐng)嚴(yán) 格按照datasheet上面的參考值長(zhǎng)度走線。比如，一個(gè)放大管與電容 之間的走線長(zhǎng)度(或電感之間的走線長(zhǎng)度)要求等等。 1、通用做……

本文刊載于《中國(guó)科學(xué)院院刊》2023年第2期“科學(xué)觀察” 李樹深* 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 半導(dǎo)體……

一旦硅開始達(dá)不到電路需求，碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導(dǎo)體材料浮出水面。與單獨(dú)的硅相比，這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復(fù)雜的電子產(chǎn)品。這些因素可能導(dǎo)致碳化硅和氮化鎵在整個(gè)電子市場(chǎng)上得到更廣泛的采用。 　　讓我們探討一下碳化硅和氮化鎵之間的主要區(qū)別，這將有助于我們了解何時(shí)最有效地應(yīng)用這些化合物……

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）于20世紀(jì)80年代初發(fā)明、開發(fā)并商業(yè)化。器件結(jié)構(gòu)（圖4左側(cè)）可以設(shè)計(jì)為在第一象限和第三象限（對(duì)稱IGBT）的結(jié)J1和J2處阻斷電壓，或者僅在第一象限（不對(duì)稱IGBT）阻斷電壓。IGBT通過使用正柵極偏置創(chuàng)建MOS溝道來工作，該偏置將基極驅(qū)動(dòng)電流輸送到內(nèi)部寬基極P-N-P雙極晶體管。在同一漂移……

外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。 由于碳化硅功率……

在集成電路的制造過程中，有一個(gè)重要的環(huán)節(jié)——光刻，正因?yàn)橛辛怂?，我們才能在微小的芯片上?shí)現(xiàn)功能?，F(xiàn)代刻劃技術(shù)可以追溯到190年以前，1822年法國(guó)人Nicephore niepce在各種材料光照實(shí)驗(yàn)以后，開始試圖復(fù)制一種刻蝕在油紙上的印痕（圖案)，他將油紙放在一塊玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的瀝青。經(jīng)過2、3小時(shí)……

前言：碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié)，襯底成本占到碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測(cè)試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對(duì)最終器件的性能有著舉足輕重的……

01 關(guān)于 IGBT ……

功率半導(dǎo)體的車規(guī)可靠性標(biāo)準(zhǔn)比較多，主要有美國(guó)汽車電子委員會(huì)的AEC標(biāo)準(zhǔn)（主要是針對(duì)晶圓）和歐洲電力電子中心的AQG324（針對(duì)模塊）。今天主要復(fù)習(xí)AQG324這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)。 先討論一個(gè)工程邏輯：任何一個(gè)新產(chǎn)品，在設(shè)計(jì)之初就應(yīng)該考慮其使用的可靠性，設(shè)計(jì)有缺陷，后期工藝上是很難彌補(bǔ)的，因此，當(dāng)可靠性測(cè)試出現(xiàn)問題時(shí)，首先要……

1、A產(chǎn)品的DC-DC電路受干擾掉電 DC-DC電路設(shè)計(jì)采用LMR14030芯片實(shí)現(xiàn)交流24V轉(zhuǎn)換成直流5V，給GSM模塊供電，基中LMR14030芯片的EN腳連接一個(gè)開關(guān)，用于控制電路開關(guān)的功能，在小批量生產(chǎn)測(cè)試時(shí)發(fā)現(xiàn)，電路板未安裝外殼的情況下工作正常，安裝外殼后，測(cè)試時(shí)發(fā)現(xiàn)電源會(huì)在GSM發(fā)送數(shù)據(jù)時(shí)發(fā)生掉……

電機(jī)控制板的24V電源在給電機(jī)供電的同時(shí)也通過DCDC輸出12V給其他電路供電。在沒有電池時(shí)，電機(jī)發(fā)電為控制板供電，而電機(jī)的轉(zhuǎn)動(dòng)并非是勻速的，產(chǎn)生了波動(dòng)較大的電壓，如下圖1所示，黃色線為電機(jī)反向發(fā)電電壓，綠色則為MP2451輸出的電壓。 圖1 電機(jī)發(fā)電曲線和DCDC的輸出曲線 由上圖可以看出，電機(jī)的……